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[問題求助] 低压工艺设计高压电路的害处?

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1#
發表於 2010-3-24 22:25:49 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
具体是想用2.5V工艺设计3.0~3.7V转5V的charge pump regulator或者boost DC-DC,这主要的危害在哪里呢?有什么办法解决吗?(换工艺除外)

谢谢!!!
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2#
發表於 2010-4-21 18:37:17 | 只看該作者
2.5 V的工藝?看不懂你的意思,請問是製程0.35um或0.25um的意思嗎? 基本上超過他的breakdown電壓就不行了吧,可能你需要作一個內部LDO regulator來supply你的其它電路喔,
3#
發表於 2012-4-7 21:41:27 | 只看該作者
很難吧。 低壓的gate oxide不夠厚,很容易gate 被擊穿。 VDS的耐壓還可以賭賭看。
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