ESD I/O Protection

semico_ljj

以前的老工艺一般是P/N diode 作为ESD器件
CMOS工艺中 一般就是用P/N MOS 实现，但是当ESD器件工作时（也就是泻放大电流时），是寄生的Bipolar导通放电。
高速器件中的P/N diode ESD器件 我也不是很了解，期待大家解答

semico_ljj

在高速器件中的ESD采用Diode我想主要考虑 1.能更快速触发 2.面积小，其实也就是寄生的Cap小 但是我没有研究过，我也一直在寻求，大家一起探讨。