ESD I/O Protection

xiangxianga396

大家好！

" Y, w* c1 x8 p; ]请问大家一般用作ESD I/O 保护的事P/N diode呢还是P/N MOS 呢？
各自的优缺点是什么呢？

$ z! [3 X" s0 U& r4 s$ n谢谢！

xiangxianga396

回復 2# semico_ljj
# }4 j" r; D" i* u3 N, {
1 S9 `4 |5 N  T! A8 v) O7 ~3 g4 m
- b. {( I" q! O) H    谢谢斑竹的回复。
    我现在用的是UMC L130 的 CMOS process, 我发现用DIODE做I/O 保护比用P/N MOS 省面积。 但是发现也有其他公司是用的P/N MOS 做保护。所以想知道两者的分别在哪里？PAPER 上很少看到有类似的文章。

xiangxianga396

回復 5# daidai

8 N: R' U1 u! ~: ]2 k2 n$ S# EThanks, daidai.
2 }. N$ @* H3 X" c: ~
But I don't think that no need clamp when using P/N MOS, i.e:
Suppose there is a pad A which voltage range is vss ~ vdd, when zap vdd vs. padA with positive pulse, the current is only be discharged by the reverse parasitic diode of  gdpmos, the  turn on voltage of this diode will be too higher to discharge the current quickly, then the internal circuit may be destroyed.