pn junction的esd如何畫比較好？

CHIP321

. y$ H& H; m; j. A0 e7 J
通常我们IO的ESD会选用fab提供的结构，尤其是数字部分，diode做ESD在效率上没有GGNMOS或者SCR结构高，
通常会用在两个需要做简单隔离的 地或者电源 之间才会采用这样的结构，
+ v2 [- C/ t4 F: W) `击穿电压与面积无关，只与PN注入浓度相关，但是小尺寸，导通内阻大，能量耗散面积小，结构比较脆弱。
具体VBR值手册会给出的，电流就很难说了，要参考HBM 模型来仿。
两个管子size有同PAD面积一样的差不多应该可以zap到2k，cont的接触尽量均匀一致，可以参考ESD Circuits and devices - Steven H.Voldman