Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: jiming
打印 上一主題 下一主題

[經驗交流] Top-10 DC/DC 電源產品獎?大家最青睞哪三款?

  [複製鏈接]
1#
發表於 2011-8-4 11:45:13 | 顯示全部樓層
德州儀器 50 mA、60 V 同步 SWIFT™ 轉換器簡化工業電源設計
效率達 92% 的 DC/DC 降壓穩壓器支持高效率暫態保護


(台北訊,2011 年 8 月 4 日)    德州儀器 (TI) 宣佈推出一款具有高效率與低雜訊效能的同步 50 mA、60 V SWIFT™ 降壓穩壓器。該 TPS54062 整合高側 (high-side) 與低側 (low-side) 電源 MOSFET,可為雜訊敏感型工業自動化與感測器控制、智慧型儀錶、電信、運算以及消費類等設計,提供高效率電源轉換與暫態保護。

最新 50 mA、60 V SWIFT 轉換器,不但可承受高達 65 V 的高電壓暫態,同時還可在不同負載下保持高效率。對於 50 mA 下更高的電壓暫態保護,TI 近期推出了全新 TPS7A4001 50 mA、100 V LDO,其可為 50 V 暫態事件實現低於 500 奈秒 (nanosecond) 的極速建立時間。

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

2#
發表於 2011-8-4 11:45:22 | 顯示全部樓層
TPS54062 還支援 TI 各種嵌入式處理器應用,包括Stellaris® ARM® Cortex™-M MCU、C5000™ 超低功耗 DSP ,及超低功耗 MSP430™ 16 位 MCU 的應用,如智慧型儀錶、大樓自動化以及安全系統等。

TPS54062 的主要特性與優勢:
•高效率與高效能:65 V 暫態保護符合規範要求,寬泛的工作溫度 (-40°C 至 150°C),150 kHz 頻率、24 Vin 與 5 Vout 時效率為 90%;
•小尺寸:100 至 400 kHz 的開關頻率範圍,與小型 MSOP 封裝,整合高低側 FET,與同類解決方案相比可節省 20 mm2的電路板空間;
•出色的雜訊效能支援可同步的固定頻率與低功耗運作:89 uA 運作電流與1.7 uA 的關閉電流。
       
供貨與價格
採用 8 接腳、3 mm x 5 mm MSOP PowerPad™ 封裝的 TPS54062 現已開始量產供貨,可透過 TI 及其授權通路訂購。每千顆單位建議零售價為1.5美元。
回復

使用道具 舉報

3#
發表於 2011-9-14 12:32:38 | 顯示全部樓層

快捷半導體電池充電器榮獲《今日電子》雜誌十大DC-DC功率產品大獎

突破性設計實現高效率USB相容充電功能 快捷半導體第七次贏得《今日電子》十大DC-DC功率產品獎


全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor)宣佈,公司榮獲《今日電子》雜誌2011年度十大DC-DC功率產品獎項。快捷半導體憑著FAN5400 USB相容鋰離子電池開關充電器,被評判團第七次頒發這一聲望卓著的獎項。

十大DC-DC功率產品獎項旨在表揚出色的技術或其應用,該獎項強調創新性和出色的性價比。隨著越來越多消費者使用智慧型手機、平板電腦和可攜式媒體/遊戲播放機等可攜式裝置,設計人員需要能夠提高鋰電池充電速度以及解決線性充電器相關的散熱問題的解決方案。

快捷半導體FAN5400系列USB相容鋰離子電池開關式充電器能夠經由USB埠或5V AC/DC適配器進行充電的效率,同時減少熱耗散,使電池充電時減少發熱。FAN5400是單顆或兩顆鋰離子電池充電的理想解決方案,能夠提供相比線性充電器更高的充電的效率,並具備USB-OTG功能。

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

4#
發表於 2011-9-14 12:32:47 | 顯示全部樓層
FAN5400元件的充電參數和運作模式可以經由一個運作速率高達3.4Mbps 的I2C介面進行程式設計,以提高靈活性。

FAN5400元件提供高達1.25A的最大充電電流,能夠確保快速充電和高充電電壓準確度(±0.5%@25ºC),從電池獲取更多「額外」能量,延長電池使用時間。除了標準過熱保護和短路保護功能之外,FAN5400系列能夠支援高達20V DC的輸入電壓,以便保護USB埠避免因未經調節過壓狀況而造成損壞。

FAN5400系列開關模式充電器整合有5V 300mA升壓穩壓器,並與充電器共用同一個電感,從而減少外部元件數目,提高成本效益。此外,充電器和升壓電路的開關頻率均為3MHz,大大減小外部被動元件的體積和成本。

減小元件的體積和成本使設計人員能夠應付最新的小型可攜式裝置的嚴苛空間限制。而FAN5400系列採用1.96 x 1.87mm、20焊點、0.4mm 間距CSP封裝,是市場上最小型同時提供充電器和USB-OTG升壓功能的解決方案。

快捷半導體行動產品解決方案 - 亞太區銷售及市場部總監馬春奇表示:「我們很榮幸獲得《今日電子》雜誌十大DC-DC功率產品大獎。快捷半導體是可攜式技術的先進企業,致力結合矽IP模塊和系統級專有技術,開發如FAN5400的創新產品,推動製造商實現可攜式設計差異化,同時滿足終端客戶的要求。」
回復

使用道具 舉報

5#
發表於 2013-3-21 14:20:06 | 顯示全部樓層
德州儀器推出業界首款可配置 DC 電弧檢測參考解決方案 高可靠度RD-195 檢測電弧故障並發出系統警告避免因電弧放電引起火災

(台北訊,2013 年 3 月 21 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首款可程式設計 DC 電弧檢測 (arc detection) 參考解決方案。該 RD-195 可幫助設計人員更快速、更簡單地確保高功率 DC 系統安全,包含汽車及飛航電池管理系統、工業設備及光電單元 (photovoltaic units) 等,避免因電弧故障 (arc fault) 造成嚴重毀壞。設計人員可對 RD-195 進行程式設計,提升電弧檢測精度與錯誤檢測預防之間的平衡,滿足系統需求。RD-195 配套提供的軟體應用工具可修改閾值檢測參數。

觀賞RD-195示範影片:www.ti.com/rd-195-prv

RD-195 主要特性與優勢:
•        可程式設計參考解決方案:電弧檢測閾值參數可以配套軟體工具進行配置,確保系統持續檢測有效電弧,並將不當跳電 (nuisance tripping) 降到最低;
•        高度彈性與可靠度:RD-195 可檢測不同類型的電弧,包括串聯、並聯及接地電弧等。此設計在受到 RF 干擾的高雜訊環境中仍可運作。此外,該解決方案中的所有訊號鏈元件均可在 -40 ℃ 至 85 ℃ 工業溫度範圍內正常運作;
•        快速檢測時間:該解決方案標準回應時間低於 100 ms,幫助系統控制器快速反應,降低電弧放電引起的災害;
•        符合產業標準:RD-195 已通過 Underwriters Laboratories® UL1699B 標準認證。幫助設計人員簡化並加速 UL 認證產品的上市時程。同時也符合 NEC690.11 太陽能電源安全標準;
•        RD-195 EVM 簡化開發工作:RD-195 評估模組 (EVM) 可幫助設計人員針對各種應用評估 RD-195。該 EVM 包含 TI 支援 C28x 核心及控制定律加速器 (control law accelerator; CLA) 的 C2000™ Piccolo™ TMS320F28033 32 位元微控制器、一 顆 SM73201 16 位元類比數位轉換器 (ADC)、三顆 SM73307 雙通道高精度運算放大器、一顆 SM73308 低雜訊軌對軌輸出運算放大器,而且包含物料清單、原理圖、電路板設計檔、軟體應用工具、韌體授權合約、UL1998 模型電弧檢測代碼及應用手冊等。

工具與支援
RD-195 參考解決方案的軟體應用工具可幫助設計人員調整系統電弧檢測閾值等級,提高有效電弧檢測精度,避免檢測錯誤,並參考設計 CAD 文件。TI E2ETM 社群高精度資料轉換器論壇提供強大的技術支援與 TI 專家諮詢。
       
供貨、封裝與價格
RD-195 電弧檢測參考評估套件現已開始提供,每套建議售價為199 美元。
回復

使用道具 舉報

6#
發表於 2014-8-13 14:39:19 | 顯示全部樓層
IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露功率區塊元件 為DC-DC應用提供卓越效率


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET,藉以擴充功率區塊元件系列。新款25V元件在25A的電流下能夠比其他頂級的傳統功率區塊產品減少5%以上的功率損耗,適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 及筆記型電腦等12V輸入DC-DC同步降壓應用。

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

7#
發表於 2014-8-13 14:39:34 | 顯示全部樓層
IRFHE4250D配備IR新一代矽技術,並採用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝,為功率區塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結合了理想的散熱效能、低導通電阻 (Rds(on)) 及閘極電荷 (Qg),提供超卓的功率密度及較低的開關損耗,從而縮減印刷電路板尺寸,以及提升整體系統效率。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET為全球首款頂部外露功率區塊元件,提供行業領先的功率密度,有效滿足要求頂尖效率的高效能DC-DC應用。」

與IR其他功率區塊元件一樣,IRFHE4250D可與各種控制器或驅動器共同操作,以提供設計靈活性,同時以小的佔位面積實現更高的電流、效率和頻率,還為IR功率區塊元件帶來全新6×6 PQFN封裝選擇。

IRFHE4250D符合工業級標準及第二級濕度敏感度 (MSL2) 標準,並採用了6×6 PQFN頂部外露封裝,備有符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。
回復

使用道具 舉報

您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-8 06:20 AM , Processed in 0.111007 second(s), 20 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表