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[問題求助] esd管衬底接触的疑问

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1#
發表於 2009-10-30 09:47:05 | 顯示全部樓層

回復 8# 的帖子

同意   是Rsub的问题   / V5 K- G! r  N# F- o) X2 K9 Q( |; ]
同种工艺中左侧Rsub大于右侧     
/ Q6 I" H8 C, R9 g+ z4 o之所以不建议采用右侧结构是因为左侧结构中Rsub的差异会增多寄生结构开启机会
% a' y! D  J( z$ d, Z$ P, ]& e  o; }即当寄生npn结构只有一个或少部分开启时  较大的Rsub会使后面的结构也有机会启动
6 M/ M8 |) t  Q1 g- a0 V5 m6 W8 V不同工艺直接的差异还是有的   比如hhnec的就不允许做右侧结构' O8 p5 _& I/ f" P* d) Z5 I
而tsmc等工艺中就无所谓   两种都很好
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