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[問題求助] esd管衬底接触的疑问

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1#
發表於 2009-9-16 16:00:58 | 顯示全部樓層
我感觉这两种方式是在考量sub的寄生电阻,我之前一直选用右边的,效果很好,现在用的一个工艺就是左边的模式,所以应该主要靠量Rsub
2#
發表於 2009-9-24 15:12:36 | 顯示全部樓層

回復 5# 的帖子

Rsub小不好的,像7#说的一样,Rsub太小需要很大的电流trigger npn,所以这个时候希望Rsub会大些,我用过左边的,也用过右边的,左边的是在sub电阻很低的工艺里面用的,右面的是在sub电阻较大的工艺上用的,我也看到两种结构用在同一个较大的sub电阻工艺上的,一样的没有问题,如果想验证那就只能做实验了

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參與人數 1Chipcoin +1 +1 收起 理由
semico_ljj + 1 + 1 说的有点道理!

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