太多太多人(甚至某些论文)将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。 MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态:weak inversion(弱反型,或者称亚阈值),moderate inversion(中间反型,部分属于亚阈值)和 strong inversion(强反型,注意名称!这个不叫饱和区) s1 @2 M/ @- E C 这三个工作状态根据Vds的不同,都可存在 线性区,非线性区但未饱和,还有饱和区(不同的Vgs都存在饱和区!只是对Vds的要求不同!); L8 d4 g) @( M( T) F# w+ u& h% U
% `# c' m3 N. I2 ^, }% s 如果是要进行低功耗的设计的话,将管子置于亚阈值区是最好的,并且要饱和!亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。* E. Q0 c; q+ b( H( r' O
亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感,因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的,而强反型只是平方相关,如果是速度饱和,那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。