設為首頁收藏本站
開啟輔助訪問 切換到窄版

Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步，快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 版图设计基础培训（很有 ...
123下一頁
返回列表 發新帖
查看: 11909|回復: 41
打印 上一主題 下一主題

版图设计基础培训（很有用）！

  [複製鏈接]
fgwh406
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2009-9-3 10:22:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
包含内容：
  T8 T4 U/ a$ D7 N* w% G) |# Vcadence基础培训8 X6 _  Q" @5 u3 Z2 L1 A
CMOS工艺
! n: |0 n" k3 ?mixed signal layout
3 z# n2 ], R# L* j! ]阱中阱bi-cmos工艺流程- X/ q+ }4 u# ~5 E1 P9 v; M6 \
4 g' d' _* L1 H5 |
遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看，沒有帳號？申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂頂33 踩踩 分享分享
回復

使用道具 舉報

far
42#
發表於 2024-1-20 11:57:03 | 只看該作者
感謝分享9 Q% V5 a, w# p1 S/ i
可以了解很多的知識
7 ?: D8 W9 E: R' x+ ~$ [! Y0 j
回復 支持 反對

使用道具 舉報

41#
發表於 2023-12-8 02:21:53 | 只看該作者
學習永無止盡 謝謝前輩分享8 a. G. o0 J% n6 H: g! ?
回復 支持 反對

使用道具 舉報

40#
發表於 2023-11-10 01:21:31 | 只看該作者
感謝分享，layout可以再次提升能力
8 U8 G1 k! n. J9 [) |) A8 [6 |
回復 支持 反對

使用道具 舉報

39#
發表於 2022-7-6 09:52:36 | 只看該作者
交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊
回復 支持 反對

使用道具 舉報

38#
發表於 2022-6-14 11:53:07 | 只看該作者
$ o- a$ N0 X4 n7 _; \2 d% }
謝謝分享,. t5 n  I5 k5 O! \- c1 J
研究看看...希望有幫助＠＠
回復 支持 反對

使用道具 舉報

pomu
37#
發表於 2022-5-14 22:52:07 | 只看該作者
感谢分享，刚入行layout，望大神指点
) _1 A. x' t! ]! E* b- M
回復 支持 反對

使用道具 舉報

kpo0806
36#
發表於 2020-8-3 11:18:15 | 只看該作者
謝謝樓主提供此教材，很有幫助
: b" n1 L8 m( H8 b- e" V
回復 支持 反對

使用道具 舉報

35#
發表於 2020-7-31 01:40:37 | 只看該作者
最近在layouy電路 來看看學習
回復 支持 反對

使用道具 舉報

34#
發表於 2018-9-16 14:17:07 | 只看該作者
感謝大大的分享- `; f2 b: Y0 x
希望能對我這個菜鳥有幫助
8 q3 Z+ A2 \! O, M. }! O' z" U
回復 支持 反對

使用道具 舉報

33#
發表於 2018-9-2 08:19:54 | 只看該作者
没有经过系统学习，下来看看。
回復 支持 反對

使用道具 舉報

32#
發表於 2018-8-24 12:16:43 | 只看該作者
感謝大大提供,   正好工作需要用到6 G. g& o6 z) z* S  A
回復 支持 反對

使用道具 舉報

31#
發表於 2018-8-3 10:22:46 | 只看該作者
感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。: C# v9 W8 U9 T
回復 支持 反對

使用道具 舉報

30#
發表於 2016-8-18 20:35:50 | 只看該作者
謝謝分享
" v, p6 B& X  k1 j) Q; V" T! Q# q看起來是一份很基礎的講義
回復 支持 反對

使用道具 舉報

29#
發表於 2016-6-30 15:19:06 | 只看該作者
    謝謝分享!參考看看
2 w* ]& `# f! L% \4 v0 t# S
回復 支持 反對

使用道具 舉報

28#
發表於 2016-5-25 13:13:44 | 只看該作者
剛踏入這行+ K/ m0 H- Q; K6 u
想找些教學資料參考
- s3 |5 {. k# z# U0 H  ^謝謝大大分享
回復 支持 反對

使用道具 舉報

adjamie
27#
發表於 2016-5-23 10:48:19 | 只看該作者
謝謝分享!!/ S, r8 Y  G7 U8 m4 _) K. i
學習中,非常需要~
回復 支持 反對

使用道具 舉報

26#
發表於 2016-5-21 00:35:57 | 只看該作者
bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案- K* j' z. ~  e+ O: }8 c/ H
感恩~

- D0 \7 Q4 x; U) k9 J. v4 [
回復 支持 反對

使用道具 舉報

25#
發表於 2016-5-20 09:06:11 | 只看該作者
太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）- X. [: c! H1 r/ d
   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）- O' M& c  L3 C. k' r
   
( \6 e9 z' J3 _, ]   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
4 w5 f& A  q. d5 ^# I- J$ e" G   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。
回復 支持 反對

使用道具 舉報

930709
24#
發表於 2016-3-31 12:51:18 | 只看該作者
想看本內容,謝謝!!
: Q  F; N% n! W!!! l, R) M  M2 h, ^" q: o' E
感謝分享~~
回復 支持 反對

使用道具 舉報

下一頁 »
123下一頁
返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-6 05:57 PM , Processed in 0.121007 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表