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[問題求助] vco架構的問題

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1#
發表於 2009-7-24 00:16:03 | 顯示全部樓層
我的看法" d+ L& {: l6 I6 {- z# a- P, J
1, center-tap inductor 能夠更好的matching,area也要比用兩個inductor小- `0 a  j0 o- ]1 y3 z
2,不加tail current,當MOSFET在linear region,會load LC tank,phase noise 變差。
# x) I" }5 t2 z# L/ A, f' k$ l3,tail current放在上面或下面區別不大,主要考慮是a,PMOS current source 的flicker noise 較NMOS 為低。b,body effect 的考慮% d( s; Y1 v: T$ {  P  b6 V

8 ?4 _; j8 M& M/ U$ L4 X4 u( S希望對你有點幫助。
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