請問 ESD為何需要量I-V curve

dylan8

一般ESD會先量測試路徑未受ESD stress前的I-V curve
: ?6 ?; U& z1 @與受ESD stress後的I-V curve做是否SHIFT 30％來判斷是否FAIL
' X  s3 F5 E! y4 [' g/ u# m2 Y就MOS來說 常見到的是接面崩潰的曲線
受ESD stress後 曲線會向Y軸中心飄移
0 j3 K, \. C4 k% o; W9 S  `超過30％及判定失效

dylan8

封裝後的IV curve
- ^. j9 F( S! E2 z7 E4 D' a, v' Hsorry 我不會貼圖..
再簡單的說即
測試前後curve
shift 超過30％便判定失效