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原帖由 frankaurora 於 2009-6-11 12:28 AM 發表
& b0 t6 v2 \8 m! e! p, E7 y谢谢上面两位,现在初步判断是因为我的IO只对GND做了GGNMOS,所以在从IO向VDD打的时候,ESD电流虽然没有损坏GGNMOS,但在VDD和GND之 ... 4 @0 r4 a! e: L# a6 d8 h0 s+ t! k
不知这个case有无结论?
0 Y( X, E5 {, |我认为有2件事情还要详细信息:7 C; o( W) l. A# S) d
1)测试的细节,比如在测gnd-vdd(-)之前,是否有进行其它测试。比如你提到的有测试其它信号IO。$ H( E% V j" ?7 T: A( @+ x3 i
2)最好有emmi图片,这几乎是ESD分析必须的手段。& V6 D. o$ U/ I$ G% y
就你发上来的vdd-gnd间的ESD保护电路来看,vdd-gnd之间的4种模式都不应该有问题。这种保护电路是目前比较流行的结构。! H( A: x8 E0 B8 Y! `
个人看法。欢迎讨论。 |
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