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[問題求助] 如何模擬MOS的電容

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1#
發表於 2009-5-18 23:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教諸位,在cadence下如何模擬mos管的寄生電容隨Vgs變化而變化的情況?具體情況如附件所示。

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2#
發表於 2009-5-21 09:18:43 | 只看該作者
use DC simulation?you can try it。
3#
發表於 2009-5-21 09:51:41 | 只看該作者
Dear andrew, 7 t' [+ g- _  b5 i
It is easy, make sure your mos was connected like an capacitor.
4 M, J6 A; z. FUsing calculator-> op to mos, choose the cgs, then get express to your output.! D5 ?& l7 V7 s4 C8 T3 u. ^
Then, use the parametric analysis to sweep Vg.
8 W7 r/ O6 m4 K4 {: mYou will see that !!!!
4#
 樓主| 發表於 2009-5-21 11:22:18 | 只看該作者
Thank you seanyang1337! Please tell more details, i can't get your idea completely. My email is    andrew_wee@163.com
5#
發表於 2009-5-28 10:56:27 | 只看該作者
you can reference HSPICE example.
' p0 g+ Q5 O/ w$ |) o/ M! |it's have example file to do this simulation.
6#
 樓主| 發表於 2009-5-28 22:41:51 | 只看該作者
Thank you,super!i find it! Maybe it is helpful for me,i hope that!
7#
發表於 2009-6-3 11:14:01 | 只看該作者
我都下這樣的指令,詳細你看看手冊
: I- L$ f6 b1 o+ S% q4 L7 Y3 E.OPTION DCCAP
/ `/ p8 ^5 _( q2 ]7 {.PRINT cdtot=CAP(mos_drain) dgtot=CAP(mos_gate) ...8 a$ M6 |) p" x+ Z# }( O1 r! A' x
CAP(NODE) NODE是指你想知道電容值的端點
8#
發表於 2011-7-29 13:08:08 | 只看該作者
you can reference HSPICE example.% J1 O3 U0 L. E4 t* I
  d6 m  E' `0 f% V, }% Kit's have example file to do this simulation
9#
發表於 2012-9-9 03:37:34 | 只看該作者
HSPICE 可以使用LX18或是查詢manual!!
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