GGNMOS 與 GCNMOS做ESD

klim

GCNMOS其實可以細分成兩種,
" a! P: K9 u, n* q$ B1 m一種是有實際的電容在NMOS gate端;
) m- `! P. q6 Q# G* x) Y另一種為使用寄生的電容, 故只會有實際的電阻在NMOS gate端,
( `! {* J- ]( ~9 P7 |6 }3 S請問那一種比較好?