GGNMOS 與 GCNMOS做ESD

shkao0201

請問各位:   GGNMOS 與 GCNMOS做ESD protect,哪一個比較好呢??又各有何優缺點??

semico_ljj

现在“GCNMOS做ESD protect”用的比较多，但是GGNMOS比较简单，普通过2KV的也可以！

daidai

GCNMOS has lower trigger voltage than GGNMOS. That means GCNMOS can protect internal core more.

klim

GCNMOS其實可以細分成兩種,
一種是有實際的電容在NMOS gate端;
" Y) }, u( f( t9 I另一種為使用寄生的電容, 故只會有實際的電阻在NMOS gate端,
' F# c: F. M! t$ M! }$ `0 x5 h請問那一種比較好?

dylan8

應是實際電容較好...可直接評估保護元件開啟時間
, Z* n- i9 z* O+ p, I4 C寄生電容不易判斷大小

semico_ljj

其实GGNMOS的耦合Cap也足够了，一般应用也可以了！耦合Cap的值不需要很精确！