SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

alvin0411

請問各位前輩.
" F' e+ K7 q: F  BSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.

3 i3 z: M+ |) G. g, U/ Q* q請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
# C2 ?1 B" m8 O
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~

stanlly9

首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
! ?3 S# {, C) ~8 y+ _, S5 v/ N我碰過的例子，也許是大部分的例子。
one-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
two-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
! ]! B0 f  d' d" G+ F
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。

Register-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

masonchung

你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕
8 h8 C: b/ r1 i7 M' }$ i8 |+ i我用Faraday Memaker 產生
  k! ^3 b+ F8 L4 |5 R3 K6 G
; I9 i3 H4 m( g- {# _two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
8 k3 s7 w8 V9 J6 e) F" p* a: E( V
有錯請指正~

memcad

dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。
$ q5 p' L3 `; a3 s  C* m- Qregister file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。