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[問題求助] p+ poly電阻圍nwell的用意?

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1#
發表於 2009-4-29 20:49:08 | 顯示全部樓層
我想知道外面圍一圈NWELL
* C+ Q8 V' s* c6 m" y
6 ]; B. G+ I' }( [! W8 ?# }是指外面圍一個中空的nwell,而里面圍著的PPOLY還是放在P-SUB上
( t- t  }; l4 A9 e) x% L
! n( e# r7 g7 p; N1 o5 c0 d# {4 y7 Q還是指這個p-poly電阻是畫在nwell里面的?

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2#
發表於 2009-5-13 13:52:56 | 顯示全部樓層
原帖由 alai 於 2009-5-5 09:28 AM 發表 % Y# b1 _! @# z7 i( U/ T& Q! B
畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。

9 D. P* e$ }1 o: ?4 {
7 E0 E$ j. ~8 Y' c) C# x3 G/ l& v2 ~" y. c5 y# E. ?0 o
如果是劃在NWELL里面
# v/ h# ?% L: T* d, p, _" K# ]4 c! P1 n2 ?, t
哪我的看法是,雖然有隔離噪聲的因素在里面。但是更重要的因素,要去看FAB的layer generation file了,很多時候,由于不是所有的層次都是畫出來的,比如LDD是靠幾個drawing layer產生出來的。5 E2 |7 w' N& l8 K
所以畫在nwell里面的ppoly電阻和劃在襯底上面的pploy電阻的阻值很可能是不一樣的,這個和FAB有關,而這才有可能是制定這條規則,讓ppoly電阻一定要放在nwell里面的重要原因。' O" c1 f5 Z, r) T
2 D2 F' ~/ @! o- A
至于噪聲,如果不是高頻的應用,由于ppoly電阻是放在STI上面的,哪么厚的氧化層,那么小的電容,所耦合上來的噪聲,我認為和電阻本身的噪聲相比,是微不足道的。
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