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在這邊說說我的看法* W# m8 k5 d# r0 @0 U; |
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時* o/ q$ K$ m5 ]2 H" I
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試+ X7 F+ k# W y& ]( N+ e4 E
但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上6 ~ v: j$ a) B/ j6 p
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.! U! O( v4 K' x2 X" V8 N
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一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況3 W$ C1 m6 k5 S
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
2 [- t$ W+ m4 v$ _; J. K, E再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓$ s9 p$ v3 k8 l9 c* D7 |
去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 v( @+ a* m& {
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上+ c8 T0 z7 T/ |4 t( O( u7 @, {
就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
% }' _2 ^$ C% T& V所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間) N4 p0 c! a9 R& a7 v3 V
讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
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最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
% B* w# R8 T2 D$ r( r7 }1 v不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式9 O2 a5 K5 X6 N1 g
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速% |# t4 O/ f4 h" k( y) }+ D
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事/ H* p! C, Q1 O; B P9 T
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.- G: g( i, Q! \; {+ z* G5 H
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己( E! {8 A8 v) w6 O& A# I
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
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6 c+ l3 t; U7 ?0 L( _* m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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