請問Hspice的lis file 的結果.

yhchang

我剛剛有上Google去找資料
發現 用Device model 用 first-order  不考慮短通道效應時
& G: R  `) `4 ]- Y/ `Vdsat = Vod(overdrive)   當這個條件發生的時候
+ U" ^7 T. }, a) B2 `. TMOS的通道就出現了 Pinch-off的現象      這時候電流開始飽和
& N) v" s9 W0 y9 {. Q7 n' U
( L$ B6 l* b- i9 T5 O: T但是如果考慮 短通道效應 (second order effect)
- |7 M1 k- E# X* n1 J通道電流有   Velocity saturation(速度飽和)的效應存在
- w% U0 _' L5 Q這時候  Vds不需要到Vod   只要到達  Vdsat   Ids就會飽和 不會再上升了
3 V& O  ]- Z& ]) r4 ]但Physical上  通道尚未pinch-off  必須要等到 Vds=Vod時 通道才會 Pinch-off.  

  B. o* O9 N: `6 C' K所以實質上  電流會在 通道pinch-off前就會飽和  教科書的寫法只是為了方便手算以及只考慮主要的一階效應

$ ^) I' V3 n8 b9 l2 ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 12:04 AM 編輯 ]