DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
- R3 d& I* q4 k! f; Q7 Z2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
. H, D2 w, G/ q9 a- E如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
2 d9 ^3 O9 U- D2 p/ GPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
/ ^* o4 ?& L" N( ?6 B! G這應該是poly與metal的density的問題....
' d  h2 R+ D" Z' R/ x" ~PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
# _) W, F/ d+ p0 SM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子