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[問題求助] Power MOS架構問題

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1#
發表於 2007-12-27 17:20:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
有誰公司有畫過類似Power MOS架構,能在TSMC製程畫嗎,如果能那W/L如何計算,因為Poly會有重複的問題需要知道。
5 W' c) T; I1 o9 q% U- w* C

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5#
發表於 2013-2-27 15:29:18 | 只看該作者
希望各位讨论,多谢大家, 。。。。。。
4#
發表於 2013-1-31 14:48:12 | 只看該作者
Rds(on) 是什麼??
+ k. R$ S# J* |- x# v! C+ r* M" s怎麼判斷Rds(on)?
3#
發表於 2008-1-3 09:50:01 | 只看該作者
通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!# y/ y0 T% i" d5 z  c
他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
$ z* k" W+ g% g9 a/ b! X口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!7 R' p7 Z0 |  F  G6 W" k
口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
* S/ K/ {, B6 K! }若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!
2#
發表於 2007-12-28 17:47:41 | 只看該作者
左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
3 a- X) E  k) m0 c! `3 w4 @POLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
3 \/ I- i; S: l$ B/ \8 q17*10-5*5=145; Z: e* a: \  L  I
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
9 Y( F  b; q( A看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
- f0 T* J& \( N8 d7 n& @- ^+ p就這樣子
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