op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
8 i9 m) W0 h* U& s. z- z也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

% K7 c! t7 A  K0 M依然還是一樣的錯誤訊息！

; V6 s% I; k9 y1 ZLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
  J, `  u/ X/ D) o9 N我也問過其他老師、他說要拉超過20um
# T( N* M5 S# I) X& z& o& K9 l但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解

6 `& {5 z" E' q4 B9 P希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
; `; _# R* Z/ W' z5 i1 a在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

( p# x) w6 D' `: @這個我有點看不懂是什麼意思！
1 ^/ L4 y1 k7 o$ v9 I0 S- O8 j1 ~可以在詳細講明白一點嗎!!!
3 n2 u2 T5 y2 y2 Z. G7 H
/ D2 Q: }0 I6 ~5 u6 GOD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？
7 \7 N% G7 H: a
6 G5 ^; b9 I) ~! S2 u不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
1 Z8 t. K: s/ C5 _8 K20um半徑圓內打幾顆P+_contact
# {' f' o  h, z- S; d4 q就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
3 ^2 h6 j6 q4 N! ]要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
5 _* a4 [# Y: X. q8 `加 N+DIFF ㄉ地方

以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
1 k, g. Y8 I( ?4 |# y簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
  J: V- H1 e5 F! u但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解