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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?
' ^' ^8 a+ S2 X6 X9 [: E8 ?' m
+ u0 E, t$ n2 \, p. M5 @2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。
9 P7 }5 _( ]) s: X( {2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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參與人數 1 +5 收起 理由
cuban487 + 5 Good answer!

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3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,
9 r0 H5 T5 V( M$ Z; Q! w% pdesign by yourself is better
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?
* i0 o3 M# G( N) x0 P' W如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?7 M  _5 T( b3 O+ X3 r
是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?* g2 F7 p4 J# e& B) z* q7 C
如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。
. q# b4 R- w8 E! T! d
: o" P3 \% j' W5 ~7 i  }5 ~不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),
. o' W0 e: U; N' b& t+ ^可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,1 V8 w4 L) J; x
不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表 . {5 o4 J9 f! c
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

3 ?4 k3 `: p6 U# B7 Y6 g9 M5 c2 g" }9 Q" J5 i4 Q
+ z( Z! U1 k5 V: |" E6 U
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路  r$ W0 T% X  [
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那8 t; `% ?$ B- ~0 q, K& A
我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
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