IC ESD 相關問題請教

阿光

1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是？反正只要驗證 OK，先以縮小面積為考量，是這樣嗎？

# I3 g% }5 z% G8 b8 `( [& y4 T2. 假設發生 ESD 問題了，找到亮點了，傷到內部電路，也層層剝下去觀察，知道 damage 在哪個 device 了，如果它是 design issue，接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢？尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下，有什麼大方向可先行檢查一遍嗎？ (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)

alvin0411

我也覺得常遇到的case都是死在內部電路
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
8 N8 A) ~$ j% u5 J- D8 ]: ^我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.

alvin0411

原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

/ V" D2 }& H2 D/ J( k+ t
& G! k. {, ]. W- P# \6 X0 K. Z$ d$ W
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?

cthsu1

IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎？
如果有的話，Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接？
是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護？
+ @7 |  t1 v1 Z# ^% ~如果都沒有，死在裡面也不是什麼很奇怪的事。

; \. ]: A/ [( i3 E/ [9 P不過，如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔)，
; D! {/ @% \% X, Y, ^可以把問題丟給他們，確認是Foundry的話，甚至可以談賠償，
# a* `; B: X/ w. @4 R" @不過，通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。

manpao

Foundry 的 ESD rule 通常都大,
( v* E( V4 p3 N8 ^- ?6 adesign by yourself is better

ritafung

根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

sjhor

1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍，這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料，就可以知道其耐受度。
# R5 u2 }5 ]9 `, V# ~) C+ q2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。