|
億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體 面積小 讀取電壓低 可以1萬次電性抹除寫入
& ]% _2 k' J5 P0 [' q- R
+ d7 J5 l$ B$ B, v億而得微電子公司(YMC)日前宣佈於5V元件高壓製程平台上,開發完成可取代熔絲燒斷應用之電性抹除寫入、高壓製程嵌入式EEPROM IP,其容量由8位元到1,024位元,具有小面積、低讀取電壓、可達萬次電性抹除寫入等優點。
1 a; \& [! v: N- H
f9 R! y, Z8 S+ o( ^為了滿足各應用領域客戶的需求,YMC開發出有含升壓電路及不含升壓電路兩系列之嵌入式EEPROM IP,不含升壓電路之嵌入式EEPROM IP可減少面積,含升壓電路之嵌入式EEPROM IP,可提高客戶使用效率及彈性。. L C5 H" V9 K! Y$ O
: I& y/ O4 b' d/ T, b
億而得表示,相對於傳統以大電流燒斷之金屬熔絲(Metal Fuse)及複晶矽熔絲(Poly Fuse),或是以雷射燒斷之金屬熔絲(Laser Fuse),使用嵌入式可程式非揮發性記憶體,可以在封裝完畢之後,仍可進行此一參數設定修改,更可於客戶使用時進行此一參數設定修改,大幅提升客戶使用的方便性及產品的價值。
! F% T% {& T' L& l$ V. b9 B# f% ^# \& z7 K5 F, w4 N1 K8 b
目前許多國外廠商已陸續推出具有此一參數設定修改的產品,預計未來此一參數設定修改功能,將成為必要的功能,億而得微電子於高壓製程平台開發可取代熔絲燒斷應用之嵌入式EEPROM IP,在不改變客戶現有的製程條件下,推出最方便開發也是最有競爭力的方案。7 O* W7 G# s3 c2 |, [
: x7 t; `+ B3 B: @0 t- u- r3 Q億而得指出,預估高壓平台嵌入式可程式非揮發性記憶體,將可應用於電源及電源管理IC、LCD驅動IC、LED驅動IC。於電源及電源管理IC上,藉由寫入嵌入式元件微調控制電壓電流的準確度、記錄系統狀態及儲存系統錯誤訊息,以提升系統電源效率;在LCD驅動IC應用上,為調整LCD色彩對比度及掃瞄頻率,以有效提升彩色LCD畫面品質;在LED驅動IC方面,利用此元件調整電流精準度,提高LED光的品質。
& C* z9 D/ S1 I. W& M
5 }: m8 T* C8 C3 ^ R8 M) ^' D億而得微電子提供一個低成本、高效率、具彈性的高壓製程平台嵌入式非揮發性記憶體解決方案,以提升客戶產品的競爭優勢,並將持續開發各種不同製程的嵌入式可程式非揮發性記憶體,並可提供客製化IP設計服務,以滿足各產業及客戶的需求。 |
|