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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
2 ?+ L0 u/ S- I* Y" \5 o! |電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,  Y. |& e- H! Y6 e8 m  T8 y  D
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
1 B# {8 |. p8 g& D+ M6 N是否有問題.  g& o  P! |% f( e8 l7 H: K
ps. 1  error report是  
- A8 {+ o# Z  S/ j) \* O+ [$ z$ t******************************************************************************  ?0 M3 v  h3 t) z2 A) i
                                 INCORRECT INSTANCES' i1 l5 _3 O5 x" A
/ J; B! [" E# B1 J
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME' K. b1 _/ j0 }9 Q; }/ M8 ]* b
*******************************************************************************) C3 H! R' q( O5 E! R# x

9 I. ?' R; G8 g% s* N/ u8 a8 p  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)% e2 h# n5 p6 {+ E
9 s6 V; ]- N0 n- E9 [
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
7 `' I  c2 n0 B) d# n; I& ]: d
, L) @, n* ~1 S7 qps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,+ y; i% N* D4 k% i1 r" V3 L7 o
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測$ p! w6 e/ C  Q0 ^3 M9 h& `- t
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!. `: v7 J- G1 c& i
所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,* x# A# J" Z1 y1 A
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.1 N' A1 s+ {  |. V3 g
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file" o' h4 A. T( [3 a' n
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion6 N- b: D3 }' t- p) r% ~; S+ u
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,5 H! H2 D( M& h( d
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos) V: z3 \% c4 S8 ?4 L
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓0 s) m+ A* e1 T) i
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
9 `) _3 k( }6 Z8 m2 V' t東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring* p, d9 ~5 q( Z. Z% [* W
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
; Y$ t$ {! t' I, d0 t+ n& _: Y% X東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
0 u& A2 O( l; s7 ]2 _5 b另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的; {: D; v* ~! b" H
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
) l+ t6 M  K( v% N1 [& U* \1 ~) l1 \所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
, ]7 ~; S/ X& k. g, T- K加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
+ k7 d4 z- c3 O5 a這個電容有許多人用過!!
1 M1 l+ E0 Z/ @- L. {6 R* E8 z早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣  K1 B% m7 h- y8 U( R& Q, T
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
# Q. O7 u5 v7 d0 h1 R" N! W: ^& rnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
1 S* F# Y4 Q' V2 c' H) s  K這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用0 I  @' b. D# b7 |( w  m
"nmoscap",這樣是否可以.) M* k4 I' z) p% Q0 l
我在netlist file上這樣描述,
! d% @* D" J1 N; V, YXMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
+ v' {/ i# D; v5 d" n然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
* Z/ L& C+ k3 Y這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
2 N9 l, D; u6 R這個問題.
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