意法半導體（ST）的電源管理產品組合新增高整合度的微型PWM控制器

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意法半導體（ST）為環保充電器開路，提升手機內部保護功能

ESDA8V-1MX2的突波防護(surge protection)能力提升30%，外觀尺寸縮小 55%，用以防止通用充電器的功能品質不確定性對手機造成影響

台北訊，2009年 2月11日 ----
為了減少因手機、GPS接收機、個人媒體播放器等可攜式設備而淘汰丟棄的充電器的數量，全球功率IC的領導廠商意法半導體（紐約証券交易所代碼︰STM），推出了性能增強且尺寸縮小的電路保護晶片，讓手機可以更安全地使用通用充電器。

2010年手機的出貨量預計將達到或超過10億支，為降低數百萬個充電器為環境帶來的壓力，世界各國推出了不同的手機電源環保政策，如中國政府要求手機提供一個具有充電功能的USB界面。當可攜式設備使用壽命結束時，搭配的專用充電器通常變得沒有任何用處，最好的情況，這些沒用的充電器被送去回收，但是，人們最常會將這些充電器錯誤地丟掉；或者就將它們放在抽屜裡閑置。在任何情況下，每個新的可攜式設備都需要配備一個新的充電器，大幅地加劇了全球消費電子業對環境的不利影響。

使用通用充電器的迫切要求，旨在於降低這種不利影響，但是，可攜式設備設計人員必須提升產品內部的保護性能，防護品質未知的充電器可能帶來的安全風險。ST新的ESDA8V2-1MX2對市電電源突波的吸收能力達到每脈波能量500W，這個保護等級比目前市場上最熱門的突波保護器高30%，而ESDA8V2-1MX2的面積卻縮小55%，僅為 1.0 x 1.45mm，節省的空間可以讓設計人員實現更多功能或進一步縮小終端產品的尺寸。新產品比市面上常見的同類型產品更薄，厚度為0.55mm，標準的其它產品為0.7mm或1.0mm。 新產品的另一個優點是洩漏電流降低50%，可以降低電池的耗電量，提升產品性能，拉長充電的間隔時間。

ESDA8V2-1MX2的樣品現已供應中，並已量產。

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意法半導體（ST）推出碳化矽肖特基二極體 (Carbide Schottky Diodes)

可直接提升太陽能、伺服器系統、馬達控制器及更多應用的效能

STPSC806D和 STPSC1006D使用最新的基板(substrate)技術，消除電源轉換時的損耗，提升效能，降低熱量

台北訊，2009年2月11日 ---- 電源轉換使用的普通矽二極體因為無法立即關斷而損耗1%的電源效能，然而，全球功率半導體領導商意法半導體(紐約証券交易所代號︰STM)，率先推出在轉換時可降低耗電量的碳化矽(silicon carbide, SiC)二極體。

STPSC806D和STPSC1006D碳化矽肖特基二極體對太陽能系統的轉換器特別有用，因為效能對於太陽能而言是很重要的。伺服器和電信系統的電源是全天24小時供電，如果改用尺寸更小、效能更高的二極體，累計節省的電量可為運營商帶來很大的效益。 這些二極體還可用於全球使用量龐大的馬達控制器，可節省達數萬瓦的發電量，進而有助於對環境的保護。

此外，透過消除矽元件以熱量形式消耗的電能，新的碳化矽技術使設計工程師可以考慮降低電源二極體的最大額定電流，如此即可使用尺寸更小的二極體，而且不會降低可用功率。在通常配有散熱器的大功率電源產品中，新的二極體可以使這些電源供應器變得更小並可提供更高的功率。

像STPSC806D和STPS1006D 這類碳化矽二極體為交換式電源(SMPS)設計人員帶來的另一個好處是，可以提升轉換頻率，使其它元件如濾波電容和電感變得更小，成本更低，功耗更低。

碳化矽(SiC)技術之所能能夠提供這些優點，是因為在正常導通期間，碳化矽二極體不會累積反向恢復電荷。當一個傳統的bipolar矽二極體關斷時，必須在二極體結附近的電荷載流子群之間進行重新整合，以驅散累積的反向恢復電荷。在重新整合期間出現的電流叫做反向恢復電流。當與相關的半導體電源開關上的電壓結合時，這個不需要的電流會產生熱量，從轉換上排散出去。透過消除反向恢復電荷，碳化矽肖特基二極體在電路板的功耗比傳統的二極體低很多，這有助於提升電路板的效能及降低散熱量。

額定電流為8A的STPSC806D和10A的STPSC1006D，用於600V電源的應用，現已量產，採用業界標準的TO-220AC封裝。

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意法半導體（ST）推出MDmeshTM
V功率MOSFET技術在650V額定電壓下擁有業界單位面積最低的導通電阻及最高的效能和功率密度

首款Mdmesh
V產品，採用TO-220和D2PAK 封裝，在650V下RDS(ON)
低至0.079Ω

台北訊，2009年2月19日──全球功率半導體產品的領導者意法半導體（紐約証券交易所代碼︰ STM), 宣佈在功率MOSFET晶片的性能方面取得巨大突破，採用最新的MDmeshTM V技術，
擁有業界單位晶片面積最低的導通電阻。
MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET， 採用緊湊型功率封裝，
可將RDS(ON)
降到0.079Ω以下，擁有業界領先的效能和功率。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。

33A的STP42N65M5是ST首款的MDmesh V產品，採用TO-220封裝，額定導通電阻為0.079Ω。降低的導通電阻有助於提升效能，在大多數功率轉換系統中，可提供業界最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產品還提供其它的封裝選擇，包括表面貼裝D2PAK以及TO-220FP、 I2PAK和TO-247
等封裝。目前已量產的STx16N65M5系列也是650V產品，額定RDS(ON) 為0.299 Ω，額定電流為12A。 ST的MDmesh V 650V MOSFET產品藍圖還包括電流更大的產品，RDS(ON)低至0.022Ω的Max247封裝及0.038Ω的TO-247封裝。 這些產品預計在2009年3月上市。

「MDmesh V產品在RDS(ON)上的提升將會大幅地降低PFC電路和電源供應器的電能損耗，進而能夠實現能耗更低、尺寸更小的新一代電子產品。」意法半導體功率MOSFET產品部市場總監Maurizio Giudice表示，「這項新技術將幫助產品研發工程師解決新出現的挑戰，如新節能設計法規的效能目標，同時再生能源市場也將是此項技術的受益者，
因為它可以節省電源控制模組所消耗的寶貴電能。」

MDmesh V為ST已成功的Multi-Drain Mesh技術的最新產品，透過改進晶體管的漏極架構，降低漏極源電壓降，在單位面積導通電阻RDS(ON) 上表現優異。此項優點可降低這款產品的on-state損耗，同時還能保持很低的閘極電荷量(Qg)，在高速轉換實現優異的效能，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值 (Figure of Merit, FOM)。新產品650V的擊穿電壓高於其他競爭者的600V產品，為研發工程師提供了一個十分寶貴的安全裕度（safety margin）。ST的MDmesh V MOSFET的另一項優點是關斷波形更加平滑，因為降低的EMI，使得閘極控制更加容易，且濾波設計更加簡單。

MDmesh V MOSFET的節能優勢和高功率密度將會為終端產品的節能帶來實質性提升，如︰筆記本電腦的電源轉換器、液晶顯示器及電視機、燈光穩壓器、電信設備、太陽能轉換器以及其它需要高壓功率因數校正或轉換模式的功率轉換等應用設備。

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原帖由 heavy91 於 2008-12-18 06:45 PM 發表
意法半導體（ST）微型濾波器降低音樂手機噪聲，提供更佳的音樂體驗
與分離式或整合式濾波器相比，ST的新濾波器可傳遞更多音樂，濾除更多噪聲
台北訊，2008年12月18日 --
到2010年，超過75%的新手機將具有MP3播放 ...

意法半導體（ST）推出可攜式立體聲放大器晶片，提升輸出功率，3D音響功能更為出色

意法半導體可攜式音響用class -D放大器系列產品新成員TS4999提供每聲道2.8W的輸出功率

台北訊，2009年3月11日 ── 全球類比IC領導供應商意法半導體（紐約証券交易所代碼︰STM）推出一款2.8W 的雙聲道class–D立體聲音頻放大器晶片 TS4999，新產品具備3D音效，可提升可攜式音響設備的音質。

隨著消費者對移動音樂體驗的要求逐漸提高，市場開始依照要求更高的音質標準（如立體聲道隔離度）來評價可攜式設備，如MP3播放器、筆記型電腦、PDA和手機的音響效果。
音響發燒友公認寬聲道隔離度可以產生更好的聲音感受；只要確保喇叭之間的距離足夠，家庭音響設備可輕鬆地實現寬聲道隔離度。 TS4999的3D立體音頻功能克服了可攜式設備尺寸小的限制，創造出寬聲道隔離度的音效。 此外，可選的3D模式可以把聲像定位在聽音者的後面、上面或下面，為耳機使用者改進了耳機的性能和舒適度。

使用 class -D放大技術將效能提高到90%，受益於散熱量的降低，TS4999可實現尺寸更小而功率密度更大的可攜式產品。高效能結合最低2.4V的電源電壓，TS4999可延長電池供電產品的充電間隔時間。 當不使用音響功能時，在10nA的省電模式下，電池耗電量可達到最小化。

TS4999達到輸出功率和失真度要求的高標準，可向4Ω喇叭輸送每聲道 2.8 W的強大功率，失真度維持在1%的水準。電源電壓抑制比很高，可防止電源的噪聲干擾音頻信號。

TS4999現已量產，採用18焊球的無鉛flip-chip封裝。

[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-3-11 12:54 PM 編輯 ]

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意法半導體（ST）擴充VIPerPlus系列
實現高成本效益、超節能的智慧型電源供應

VIPerPlus系列符合節能法規，可廣泛應用於各種消費性電子、電腦、工業設備及家電產品

台北訊，2009年5月13日 — 全球功率半導體技術領導供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM），發表全新的VIPerPlus離線交換式電源（SMPS，Switched-mode Power Supply）轉換器系列產品。繼2008年首款VIPer系列產品VIPer17成功問世後，意法半導體乘勝追擊推出VIPer15/16/25/27/28產品，使其AC-DC轉換器產品系列更臻完整，並能降低設備待機功耗、減少外部元件需求量，同時符合藍天使（Blue Angel）、能源之星（Energy Star）及其他節能標章的要求。

VIPerPlus系列產品適用於全球所有主流的家用電子產品電壓規格，包括咖啡機、洗衣機和洗碗機等家電用品電源；液晶電視、DVD播放器和機頂盒等消費性電子電源；家居與建築照明，桌上型電腦與伺服器的輔助電源，以及手機、數位相機、可攜式音樂播放器、玩具和刮鬍刀等以電池供電的家電充電器。

意法半導體工業和功率轉換產品部總經理Pietro Menniti表示：「VIPerPlus系列產品成功結合耐用性、成本效益、低待機功耗與運作效能等特性，進一步鞏固意法半導體在功率轉換市場上的領導地位，並再次展現我們幫助客戶將產品功耗降至最低的承諾。」

所有VIPerPlus系列的產品均以一個封裝來結合控制器、啟動電路，以及一個800V抗雪崩功率MOSFET。全新整合功能與高擊穿電壓有助於提高電源供應的耐用性和可靠性，減少外部元件數量，提供更高的作業模式效能與超低的待機功耗。在250V時，待機功耗小於50mW，而在最佳化的變壓設計中，待機功耗更可降低至30mW。

其中的800V抗雪崩功率MOSFET特別針對VIPerPlus系列進行最佳化。定頻PWM控制器搭配抖動技術與創新的準諧振拓撲，能夠最大化操作模式效率，同時降低EMI濾波器成本。VIPerPlus系列擁有同級產品中最佳的待機功耗，使客戶產品能夠符合能源之星與80+銅級、銀級、金級認證等最嚴格的節能法規。此外，VIPerPlus系列還包含可調式過電壓和超載保護、滯後過熱保護、兩級過流保護，以及開環失效斷開保護等安全防護功能。

藉由整合一個高壓啟動電流產生器，與用於轉換器啟動階段的基本漏極電流控制功能，VIPerPlus不再需要啟動電阻器，可降低次二極體上的應力，並防止變壓器飽和。嵌入式的SenseFET不需外部感測元件，確保精確的漏極電流限制。因此，故障檢測電路可啟動裝置的自動重啟功能，以防止電湧對電源或負載造成損壞。

VIPerPlus系列的所有產品均已量產，採用DIP-7或SO16N封裝。

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意法半導體和Soitec合作將背光（BSI）產品製造技術導入行動消費電子市場

台北訊，2009年5月14日 — 全球半導體產業及CMOS影像技術領導廠商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM），與全球工程基板領導供應商Soitec（歐洲證券交易所代碼：SOI），宣佈雙方共同簽署一項獨家合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光（BSI，Backside-illumination）技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器。

隨著先進影像感測技術解析度的不斷提升，以及市場對縮減相機模組整體尺寸的迫切需求，尤其是消費性電子市場，廠商急需開發單位畫素尺寸更小，同時還能保持畫素靈敏度及高畫質的影像技術。而背光技術將是新一代影像感測器開發過程中的關鍵要素。

兩家公司此次簽署的合作內容包括：Soitec授權意法半導體在300微米晶圓上，使用Smart Stacking™接合技術製造背光感測器。該技術由Soitec公司的Tracit事業部門，運用分子接合技術和機械與化學薄化技術開發而成。意法半導體將運用此技術及本身的先進65奈米以下衍生性CMOS製程技術，開發新一代影像感測器，並在位於法國南部Crolles的300微米晶圓製造廠生產。結合意法半導體先進的晶圓製造能力，Smart Stacking技術將有助於意法半導體加強在高性能行動消費性電子影像感測器開發與供應的市場領導地位。

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意法半導體（ST）推出創新的高壓電晶體技術協助開發更可靠的高能效系統
新推出的功率MOSFET產品能提高擊穿電壓和抗雪耐量 導通電阻並較上一代產品降低約30%

台北訊，2009年5月12日 — 全球功率半導體技術領導供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新功率MOSFET系列產品，結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性，以及更低的電能耗損率，相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用。

STx7N95K3系列的推出，為功率MOSFET市場切割出全新的950V擊穿電壓標準產品區間。該區間的產品特別適用於那些將電壓提升至400V或更高，以儘可能降低能源耗損的系統。與其他品牌的900V產品相比，意法半導體的950V功率MOSFET電晶體擁有更大的安全工作面積，也因此具備更高的可靠度。同時，設計人員還可用單一950V MOSFET取代雙電晶體電路，從而簡化電路設計、縮減尺寸，並減少使用的元件數量。

此外，意法半導體STx7N95K3系列亦較其他品牌擁有更高的雪崩電流。該項優勢確保產品能夠承受高於擊穿電壓的電湧，以防止過量電湧燒毀元件。最新的900V產品擁有9A的雪崩電流，而市面上功能最接近的產品僅有1A的雪崩電流。

除了耐高壓之外，STx7N95K3系列還能將傳導損耗降至最低程度。新產品的傳導電阻RDS（ON）能降低至1.35歐姆（Ohm）以下，與上一代MOSFET產品相比，等於降低了30%左右的單位面積傳導電阻RDS（ON），協助設計人員進一步提高功率密度與能效。

同時，透過達成低閘電荷量（QG）和低固有電容，新推出的MOSFET系列產品能提供優異的開關性能，讓設計人員能使用更高的開關頻率，並進一步採用更小的元件，以提升效能及功率密度。

透過意法半導體最新一代的SuperMESH3™技術，STx7N95K3 MOSFET系列產品能達到上述諸多優異性能。此外，新產品採用業界標準的封裝技術，包括STF7N95K3採用TO-220FP封裝、STP7N95K3採用TO-220封裝、STW7N95K3採用TO-247封裝。

即將推出的STx7N95K3系列產品包括950V的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3，以及1200V的BVDSS STP6N120K3。緊接著這些產品之後，意法半導體將在2009年陸續推出包括850V、950V、1050V及1200V的系列產品。

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意法半導體（ST）推出內建突波保護的全新交流電源開關，為家電和工業設備帶來更多的競爭優勢

整合符合 IEC標准的ESD保護功能，有效地簡化洗衣機、電冰箱、空調系統以及工業設備的電源設計

【台北訊，2009年06月08日】全球功率半導體領先供應商意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)，推出兩款交流電源開關(AC power switch)系列產品。新款開關系列產品整合符合IEC 61000-4-5國際標準的突波防護(surge protection)功能，不需另加裝外部元件也可實現突波保護功能，有效地簡化家電和工業設備的電源設計。

10A ACST10和12A ACST12系列使意法半導體產品應用範圍從2A擴展至12A，也使這一產品系列更為完整。這些元件不但可用於保護洗衣機發電機、電冰箱或空調系統壓縮機以及工業用驅動器，並可取代需透過加裝外部元件，以防止交流電源內或儲存在負載內的突波電壓對電器造成損害的傳統機電繼電器或以TRIAC為基礎的電源開關。

由於這款產品的開關輸入可直接連接家電的電器控制單元，因此可省略多個其他外部元件，而繼電器或TRIAC則需要另一個單獨的輸入驅動器。此外，設計人員通常需透過加裝其他元件，以防止電器的馬達無預警的打開或關閉；採用ACST10或ACST12則可不需另加裝其他元件。

可供應封裝包括ACST10系列工業標準通孔封裝TO-220AB和塑膠絕緣TO-220FPAB封裝；ACST12系列TO-220AB或表面貼裝D2PAK。ACST10和ACST12已開始量產。

[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-6-8 06:51 PM 編輯 ]

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意法半導體（ST）推出全新1.5V運算放大器，超低功耗線性設計再升級

單道、雙道以及四道運算放大器集低功耗和高性能於一身

【台北訊，2009年06月09日】全球類比與線性半導體領先供應商意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)，推出三款精密運算放大器(op-amps)
系列產品。這三款產品是特別針對低功耗與可攜式產品所設計，擁有出色的省電功能，包括在低電源電流的高速性能、1.5V的作業電壓以及裝置關機功能。

擁有低功耗、高頻寬和高精密度等特性，TSV6xx系列產品適用於可攜式醫療設備、儀器、訊號調節系統、感測器介面以及主動濾波器等應用。全新的運算放大器系列產品具有高電磁干擾(EMI)抑制性能，適用於電子噪音較大的環境中，而其出色的靜電釋放（ESD）性能和寬達
–40 ℃至125℃的作業溫度範圍，則適用於各種工業設備。

TSV61x、TSV62x和TSV63x系列產品分別有單道、雙道以及四道運算放大器，可依據客戶需求提供不同的性能選擇。TSV61x、TSV62x、TSV63x的低主動電流分別為11μA、29μA、 60μA，可有效節省系統功耗，而其1.5V至5.5V的電源電壓不但可簡化低功耗設計並延長電池使用壽命。

TSV62x 和TSV63x分別提供420kHz和880kHz的增益頻寬積。由於擁有低輸入偏移電壓(最多可降至500μV)和低輸入偏壓電流(1pA)，即使在輸入訊號很小的情況下，也能保持高運算精密度。TSV62x和TSV63x系列產品並提供關機和非關機模式。所有裝置都具有軌對軌輸入及輸出以達到動態範圍最佳化。全系列產品都採用微型封裝，包括無關機接腳的SC70-5和SOT23-8，以及關機模式的SC70-6、SOT23-6、MSO10 。

TSV62x和TSV63x已全部投入量產。TSV61x將於2009年第三季發佈。

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意法半導體（ST）推出整合保護IC，實現行動設備充電器標準化

過電壓保護IC提供四個臨界電壓可供選擇，適用於最高 6.8V的充電器，其中包括中國信息技術產業部和GSM協會推薦的USB充電器

【台北訊，2009年7月27日】全球保護IC的領先廠商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新款手機和行動設備充電器保護IC，這款產品可降低消費者在購買新設備後丟棄的大量廢棄充電器對環境的影響。以目前每年手機出貨量大約10億台計算，全球可節省大約5億個舊充電器。

包括中國政府和GSM協會在內的電信組織正在提出標準充電器連接器和電壓的技術規範，使手機用的通用型充電器成為可能，並以USB標準作為便利、節省成本的充電器解決方案。除可減少廢棄充電器的數量外，標準充電器還可以透過桌上型電腦或筆記型電腦的USB接口為手機充電。事實上，透過標準化的充電器接口，在全球各個地區銷售的任何一款行動設備都可以改善環境，並提高用戶充電時的便利。

當外接充電器向手機和其他採電池供電的可攜式裝置輸入過度的電壓時（過量充電），意法半導體新推出的STBP120可保護設備內的充電控制電路。STBP120有多個型號，適用於不同的充電器電壓，包括當前最常見的USB電壓，以及中國工業和信息化部(MIIT)提出的YD/T 1591-2006標準。

當一款採電池供電的產品採用這項標準時，STBP120可監視充電器的電壓。當檢測電壓超過預設的臨界電壓時，產品內部的一個固態開關就會打開，防止過電壓燒毀產品內部電路。該元件有四個型號，臨界電壓範圍從5.375V到6.02V，工程人員可透過這些元件使5.25V USB充電器和 6.8V的其它類型充電器的保護電路達到最佳化。每款元件可防護高達28V的過電壓。在內部開關的正常作業模式下，N通道MOSFET的低電阻特性（90mΩ），有助於提高能效和降低散熱器尺寸。

STBP120的功能還包括一個故障指示器輸出、可限制浪湧電流進入充電器電路的軟啟動功能（soft start），以及可防止溫度過高燒毀電路的過熱保護（thermal shutdown）。有些產品的過電壓保護採用突波電壓抑制器（transient voltage suppressor）和保險絲（fuse）等離散元件，如果改用意法半導體的STBP120保護元件就可省卻，可節省電路板空間和元件使數量；STBP120設定臨界過電壓的精確度也會高於使用離散元件的保護電路。

STBP120採用2 x 2.5mm的10-針腳TDFN微型封裝，現已開始量產。

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意法半導體（ST）推出全新D類放大器，提升家庭音響的性能，打造更薄、具更大功率以及更佳音質的電視和Hi-Fi音響設備

TDA7492提高立體聲和多通道設備的效率和音質，將針腳相容的類比輸入放大器系列產品擴大為3W至50W

【台北訊，2009年9月11日】隨著主要的消費性電子品牌逐漸採用D類放大器（Class-D Amplifier）設計超薄外觀、更大輸出功率、高音質的電視和家庭音響設備，全球音效IC技術領導廠商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新款50W+50W立體聲D類放大器IC，為設計人員帶來競爭優勢。新款產品擁有卓越的效率，只需使用少數的外掛元件。

TDA7492的推出使意法半導體的類比輸入D類放大器系列產品拓展到高階應用領域。該系列產品目前提供每通道3W-、5W-、10W-、20W-、25W以及50W-的產品，這些產品採用針腳相容的封裝，使開發人員可擴展設計，進而滿足不同市場的需求。

TDA7492是市場上首款額定功率50W+50W的放大器，採用可在片上整合類比、邏輯以及高壓功能的第六代BCD6S（雙極/CMOS/DMOS）先進製程。相較於其它的D類放大器，意法半導體的BCD6S製程實現了更高的晶片作業效率比（Operating Efficiency Per Chip Size），同時並可降低串音（Crosstalk）和提升音效品質。此外，BCD6S可以在高功率輸出電路內整合互補性的NMOS和PMOS電晶體，不需使用舊式製程所需的靴帶電容（Bootstrap Capacitor）和二極體，可有效簡化設計，節省個人電腦電路板空間以及降低材料成本。

意法半導體的TDA7492實現了低於0.01%的低失真度（THD+N），能為聽眾提供高品質的聽覺體驗。內建的輸出濾波器可大幅降低外部音效濾波器要求，並整合待機和靜音功能。這款IC在EMI輻射方面進行了最佳化，可進一步簡化D類放大器的設計，實現較傳統A/B類電路尺寸更小和音效功率更大的產品設計。

其它功能還包括外部同步，可支援整合多個IC的高性能多通道D類放大器。在提高散熱性的Power SSO-36封裝尚有一個散熱塊（Heat Slug），使設計人員能方便地連接一個簡單的散熱器。

TDA7492目前已量產。