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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
# T: e7 B( I O2 m' s& a' X•汽車點火器用IGBT單管0 L* T" t/ Q6 x. {& D
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。3 ?9 `# K" d3 V" l
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
+ K v, d4 @# @7 a; n9 g/ s針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
( z7 p9 W& t" s二、技術指標
) G' O( V; N* I' q•汽車點火器用IGBT晶片及單管
. d% N6 D+ a. Z! ^, X* G6 w主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
1 s1 r" u3 N5 S7 V& J& Z集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
! E0 j0 j; B! `: p4 R, O) X0 l4 B7 Y7 e% m集電極直流電流 IC 10-40A _' O. ]9 @: E% H( b4 `
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V3 [, E; R0 `5 u+ r+ j4 u
•新能源汽車用IGBT晶片及模組/ i) k! n6 y# K9 o" [
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
! q4 P% E7 q/ D0 K/ {集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
; E" X$ P! @: k, Z1 K8 @/ ], N集電極直流電流 IC 100A 800A- }. m0 y) |. A. d2 W( b
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
" l- D S/ n0 v2 _三、經濟指標% Y _9 ~8 P& |! ~- ~
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
# E; m2 E/ v# i* z•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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* [6 ]. O4 {9 H( k. }合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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