ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
/ p3 Z! }6 @. J- K4 A1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
. N: m, f/ m; Q9 Z! s8 Q2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
6 R! S% j7 x5 \9 l2 x' L6 V, Z3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
. Y7 t0 Z! `! P, Eklim 發表於 2011-1-18 14:32

) y+ T+ [" ~* G
5 ]' t. s8 t1 k! ]% j1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
% P4 x: i0 u9 v: ]7 V7 {& \
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
! Q; `1 z) A& C' G$ H- t
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎