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方法(一)、(二)、适用的振荡器结构为比较器+�流源+电容+latch
* h: l- Y# M6 F1 ^0 m: w) [1 }1 J5 ^6 v$ \* t6 U
(一)6 `3 @- ^' E0 {# [. {+ t
1)使用低温漂电阻。# B6 Z& ^+ O+ Q# a% S9 b, d2 V+ A# y
2)如果没有低温漂电阻,就用正温系数的电阻串联负温系数的电阻,去等效低温漂的电阻。
! t; t: p, Y* ?根据f=1/RC) K, d( k& _$ e: V; `. T' ~1 }
若有低温漂电阻,则可省去基准。方法是用电源分压产生Vref,再把Vref加到低温漂电阻上产生Iref即Iref=Vref/R。可抵消电源对输出频率的影响( i4 A8 z5 v/ N5 J, I
(二)
1 v" A" q+ [. }如果低温漂电阻无法实现。# ]* ~( S; C' b+ d; E" b( b
则可使用电压基准+电流基准,由电压基准生成Vref,由电流基准生成Iref。
3 E& @- M5 Y/ W; H, SIref=Iptat+Ictat `* h+ s' i& m) q$ G
Ictat可由Vbe/R产生。
, ^+ \( M' f% C* Y/ \) m(三)9 z7 E0 h2 j/ _! ]& A
交叉电荷泵+积分器+比较器+latch
% u. j: J1 g. c; T- | m, r: H+ Z3 L这种结构也需要低温漂电阻,但是电路结构比较特别,频率可以做的相对高些。- j# ~, @" j3 |, Q* w8 ~
见Maxim专利US7109804,该专利介绍了RC-OSC的发展史,提及了进化过程中较有特点的几种OSC电路结构,并进行了优劣对比和特点介绍。
9 \3 L$ A) s- AMaxim多款RC-OSC采用该专利所提及的电路结构,建议大家仔细研究。
9 M1 o" o# f: E* j' O ]附件为专利US7109804
% \0 {6 O, H9 `若附件无法下载大家可去freepatentsonline查询下载。4 _1 K% @ I! Y4 |3 O: S
! Y8 W; C% D- P8 F5 r$ O D% i Y
若大家有好的方法,请不吝赐教!# @( L, j6 u( x$ h+ V. s, m+ I4 y
我们互相学习!. l* N x' ]5 O( L% E7 v: n
谢谢!![](static/image/smiley/default/loveliness.gif) |
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