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[問題求助] p+ poly電阻圍nwell的用意?

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1#
發表於 2009-4-26 12:37:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問前輩...
9 i! _' C. C7 c: ~, @, r5 s一般在layout上...p+ poly 電阻要求外面圍一圈nwell主要的用意是什麼?
4 L7 n6 k7 C7 c# ^) j應該是要隔絕noise吧?其原理是因為n-well較深...所以隔絕效果較好?
: [2 V0 M6 ?% J4 p+ e7 [
6 \. s0 j; `/ z9 O外圍的nwell電位需接到哪裡?最高電位或讓他floating?
: d( p: m. B9 M" f這兩種接法有什麼效果上的差異?
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2#
發表於 2009-4-27 12:34:05 | 只看該作者
确实是隔离noise效果好!' j) t% I; \5 m! l+ ]
接高电位!
3#
發表於 2009-4-27 19:33:42 | 只看該作者
一錠是接高電位嗎?接低電位也可以的,因為NWELL和sub之間有個PN junction。在zero bias的時候,仍然有deletion region ,也能有消除noise的作用。
4#
發表於 2009-4-27 19:35:34 | 只看該作者
還有一種接法是接在res電位較高的一端,當然,這樣接會引入寄生電容。這個要結合電路來考慮。
5#
發表於 2009-4-27 21:38:31 | 只看該作者
謝謝大大的問題,拜大大的問題,讓我又多吸收了些知識  thank you
6#
發表於 2009-4-27 22:03:18 | 只看該作者
终于知道这样做的原因了,拜楼主的问题。
7#
發表於 2009-4-28 20:36:59 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

接低电位收集noise效果没有接高的好!
8#
發表於 2009-4-29 20:49:08 | 只看該作者
我想知道外面圍一圈NWELL+ j7 [- M" b0 p; }. F

+ C3 I2 y* }5 j3 k是指外面圍一個中空的nwell,而里面圍著的PPOLY還是放在P-SUB上  X3 y) c7 m3 \  G) K4 q4 D: b
! e( W* j+ h9 z- O0 }
還是指這個p-poly電阻是畫在nwell里面的?

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x
9#
發表於 2009-4-30 22:18:27 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題,造成效果沒有接高電位好,
9 Z( I5 n; g5 O或是沒有效果...
10#
發表於 2009-4-30 22:34:14 | 只看該作者
蓋整片的nwell,有時對特別的poly電阻會這樣劃,當然poly電容5 s- w5 q, }' \! C. l5 a
也會,若接高電位的話當然也是接純淨的power。
11#
發表於 2009-5-2 15:49:39 | 只看該作者
建議接乾淨的高電位,一般是接analog power .......
12#
發表於 2009-5-5 09:28:10 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。
13#
發表於 2009-5-5 09:35:43 | 只看該作者
原帖由 trustrain 於 2009-4-30 10:18 PM 發表 ' h$ L. {6 p  W6 ]4 F# A3 _
我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題,造成效果沒有接高電位好,
3 q+ e2 r7 B, M% `- ?2 {* f8 Z或是沒有效果...

- ?$ H% |) e& o# g# p  Y/ G! `1 b2 F- l0 g  W! ?
兄弟:
5 G9 Z+ B: z" u7 h8 U4 e! l: f% y; R9 n! e% e, H& h
沒有電位差的問題,因為metal和si的接觸電勢差和PN結的內建電勢差剛好相反大小相等而抵消。接地電位的方法沒有接高電位的好是因為depression宽度没有接高電位寬。
" ?! K, b& B" c4 v' T7 F4 l$ P3 t1 d2 G, a- \1 p
使得消除noise的能力變差。但是,接高電位需要安靜的電源,有時候這個並不是很方便能得到。
14#
發表於 2009-5-13 13:52:56 | 只看該作者
原帖由 alai 於 2009-5-5 09:28 AM 發表 7 x+ k1 ?" m# m+ r
畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。

- `# B' R- A1 L4 D! p
  H, _# `0 l2 d
- M7 J+ @7 Z; h* G6 E# \如果是劃在NWELL里面5 q: }) [3 _) U& h( m

7 E2 G  D9 E! U. G7 C( ]哪我的看法是,雖然有隔離噪聲的因素在里面。但是更重要的因素,要去看FAB的layer generation file了,很多時候,由于不是所有的層次都是畫出來的,比如LDD是靠幾個drawing layer產生出來的。- S& t5 M$ g9 [. y( E! h2 ~
所以畫在nwell里面的ppoly電阻和劃在襯底上面的pploy電阻的阻值很可能是不一樣的,這個和FAB有關,而這才有可能是制定這條規則,讓ppoly電阻一定要放在nwell里面的重要原因。: J1 h1 p" `' U; F3 ~" g
/ ~+ H3 e6 x* R9 m" d, g# m
至于噪聲,如果不是高頻的應用,由于ppoly電阻是放在STI上面的,哪么厚的氧化層,那么小的電容,所耦合上來的噪聲,我認為和電阻本身的噪聲相比,是微不足道的。
15#
發表於 2009-6-4 20:11:27 | 只看該作者
因为一般我们都用psub,为了实现电阻隔离,比如说隔离噪声什么的,用一个nwell,nwell还有一个作用就是在上面可以进行cmos器件制作!
16#
發表於 2009-6-4 22:07:49 | 只看該作者
我也覺得是避免SUBSTRATE NOISE COUPLING的考量..
17#
發表於 2009-6-11 00:19:51 | 只看該作者
又吸收到了一點知識
9 r7 D/ l3 J& U" p7 ]# Y感謝各位大大的解說
2 `' b* r4 N2 h6 h6 z哈哈推推推推推推推推推推推
18#
發表於 2009-6-24 14:58:20 | 只看該作者
发表下不同意见哈:8 b6 q3 r4 c! n, X

" j3 N6 Y: }0 r我认为应该接低电位,但是一定要从pad直接拉过来的低电位,就是因为高电位很难找到,如13楼所说。接高电位,弄不好隔离环变成干扰源啦……
19#
發表於 2009-7-8 21:57:37 | 只看該作者

隔离衬底噪声的作用

隔离衬底噪声的作用,你图形中华的用中空的 nwell,个人认为没有什么意义。
20#
發表於 2009-7-10 15:25:41 | 只看該作者
不知道这样做有没有作用,其实最好能做个版本对比验证一下!呵呵。
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