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各位前輩好
% p9 ~, x! r. d1 K1 N5 \
6 P& ~* X6 r5 ~! U; M6 y- |小弟最近在用hspice模擬電路(presim還沒進到postsim)- n+ x, P) O$ _. T, \; R9 v
5 o) D8 R. Q0 ?電路裡面有用到電阻(0.35um製程)
: |1 K1 C# Q) M; M, J* a. w9 w+ ?$ u+ }, f. X- d+ v6 i
所以小弟在模擬時 用呼叫子電路的方式來呼叫電阻
. |" o8 p* w( N- I. t" f0 E. t! }4 ~$ ?2 _
但在製程檔中 電阻的種類有很多種4 t# ~6 A& W2 N* @, b2 b
/ m9 |$ C* c, A; B6 ~
所以小弟我不知道該用何種的電阻來進行模擬
9 v1 B5 A: c) M& W% E( K* u: O" E F- Z& K( e6 T& l) v: b
9 ~3 ?# }: K; G0 j5 K8 o, Y
* s# X! Y7 E" ^是應該從單位電阻值大的去選擇?越大越好?
$ ~; K" f. H/ c6 y5 x ]& N O( }) r0 Q5 j( \8 n; r
還是要從電阻的材料來選擇?(ex: Nwell )
7 D, Y0 f# T9 a/ A" G) `$ g1 W% ~$ d% u- }4 X; z
還是要考慮製程飄移的影響呢?那又要如何知道飄移程度呢?; r. o9 k' t: i' ?: S
4 ~ ~3 h3 Z9 Q8 D' k6 G% U3 ?) o( q7 a) F* C) ?7 c" u
C& S8 z0 D) G r+ ~) D1 f
假如電阻值大約是3~5K歐姆的話 (0.35um製程)
4 t% M9 L( ~/ i; R6 Q9 g
" q* v2 e) P: c' B8 Z應該選擇哪一種電阻的子電路呢?
( c5 L' ]0 f; h. l3 R, s7 W! l7 [7 o
ex:/ N; U5 S2 K: [% [" Z. I+ t
2 G; v" ]* K u) a
.subckt rnod n1 n2 l=length w=width0 s! i) _1 E. V3 I) ~5 o
.param rsh=80$ Q6 }! L" q e
1 ]1 ?: n4 x+ K4 n* z2 z0 O5 Z
.subckt rpod n1 n2 l=length w=width
# P9 x3 C2 {* i.param rsh=150
- |/ i8 P9 t6 x% l. l2 }. Y' |5 q& r7 d# I+ x
.subckt rnwod n1 n2 l=length w=width. s: k9 E% k* j6 n2 ?% N
.param rsh=1050
% ^; S+ ]' k; |5 N) f) E2 F0 ^
" T+ K% ?; H( `/ F3 {8 c! B) ?8 O1 D/ r4 d. r" b& [
先感謝各位大大的回答!!!! |
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狗仔卡
發表於 2011-8-11 19:28:56
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發表於 2011-8-18 02:44:50
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