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[問題求助] 能用下面方法得到mosfet的一些手工计算参数吗

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1#
發表於 2009-6-6 13:29:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想通过这么一个方式来得到mosfet的手工计算参数,不知道能否行得通!
6 a" X" T$ `4 ]首先我对一个单管进行仿真,以pmos为例,我给栅源加一个固定的足以保证管子处于饱和的电压,并在漏极加一个电流源,计算该管子在这个电流下的直流工作状况!从输出文件.lis中的beta、gm等计算kp、lamda这些参数,请问这样可行不可行?
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2#
發表於 2009-6-7 00:48:58 | 只看該作者
重要是看建模的複雜程度,像Level49這樣的Model,按照你這樣計算偏差應該較大。/ i0 P+ F6 D" P9 Z
^_^
3#
發表於 2009-6-7 12:34:12 | 只看該作者
這個問題我也想請問一下,像ro就是gds,好像在1um以後就沒有這個參數的值了,那如此我要怎麼用手算設計電路呢??0 e6 e# @2 b& S# [
像有一些參數例如Vth,它的計算雖然很複雜會飄,但還是在某一個固定值為中心去加減值,但gds我好像找不到了,想請問要怎麼找這個值??3 v' y# H1 n4 v5 b2 }0 J
謝謝!!
4#
發表於 2009-7-18 02:18:45 | 只看該作者
你這樣模擬是有問題的
6 t, l& P" b2 H$ m" z* r  @( d9 A3 ]7 _4 Q  W4 `) o
給定ID又給定VG這樣是不合理的; n) Y$ }: Y& C. x2 I" K
1 _, o* ]6 \+ D
應該是drain給一個足夠大的電壓確保電晶體在飽和區工作即可...
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