|
東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
( Z# U# X# d9 g, [% H; I+ w: x2 m# C, j6 `1 k1 _
東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。" ]6 d) p3 y* V$ I7 ^
3 i. _. S+ W0 l. h2 h
四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
x- s3 N( S ?; ` _2 \8 G9 A1 A- i' t0 M2 x. h2 b* ?
展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
2 o: W, r1 ~) i: @
! W" i; @& l6 @2 L+ bFab 5概況
* i$ e/ r9 x$ l6 L, I6 H: G4 \大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
x2 b- Z9 W5 ^& E% ^; {地上建築面積: 約38,000m2
- N9 q& ?2 F6 h k, ^7 Z總建築面積: 約187,000m2 4 k' z6 j1 h" v/ P6 ^
開工時間: 一期:2010年7月
, v# D8 M2 A% f! L2 h4 i! e二期:2013年8月
" Q* V* ?7 {) p' P. } q& g" c完工時間: 一期:2011年5月 - e7 U1 r4 ~8 _7 i& s
二期:2014年夏(目標)7 z, j( J8 U+ l# K) z7 E" ~' X
投產時間: 一期:2011年7月
: B+ N& D: ^6 @1 p% x% a二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
" J0 ~( x) t$ h1 g
5 b: W- H5 j( R9 ~; |四日市業務部概況
; o: b" I) ?* O1 L位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
% d. @0 i& E# x2 |0 T成立時間: 1992年1月 , |) ]9 q; X2 C5 Q
總經理: Tomoharu Watanabe
" s: {# x. ~* }& |0 h# B0 ?2 J員工數量: 約5,200名 / t" ?7 e1 k( B/ t- R
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) & y8 U* X, c" @" t9 c
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) ! Z5 F X+ o! H+ N- K7 c/ z! [
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
|