安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器

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內置高電壓端與低電壓端驅動電路，NCP1396為高能效顯示設備電源轉換器、高功率密度交直流電源適配器、遊戲機以及工業用電源帶來緊湊設計

全球領先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396，這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計，包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等。
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6 o+ K: l* H( TNCP1396的獨特架構包括一個500 kHz的壓控振盪器，由於在諧振電路結構中避開諧振尖峰相當重要，因此為了將轉換器安排在正確的工作區，NCP1396內置了可調整且精確的最低開關頻率，通過專有高電壓技術支持，這款控制器應用在能夠接受高達600 V本體電壓半橋式應用的自舉MOSFET驅動電路上。此外，可調整的無反應時間(dead time)可以幫助解決上方與下方晶體管相互傳導的問題，同時確保一次端開關在所有負載情況下的零電壓轉換(ZVS)，並輕鬆實現跳週期模式來改善待機能耗以及空載時的工作效率。
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NCP1396具備多重保護功能，提供更好的電路保護，帶來更安全的轉換器設計而不增加電路的複雜度，NCP1396的各種強化保護功能包括有反饋環路失效偵測、快速與低速事件輸入，以及可以避免在低輸入電壓下工作的電源電壓過低偵測等。
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) T" J) l. ]! |1 F! j' ^面向各種多樣化的電源應用設計，NCP1396提供有兩種版本選擇，NCP1396A主要面向大功率消費類應用設計，NCP1396B則適合工業用電源。

# `4 }5 q! k# l# X# W6 Z7 bGreenPoint™參考設計
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NCP1396取代NCP1395成為安森美半導體GreenPoint™ 220 W LCD-TV開放式電源參考設計的主要元件，參考設計提供完整文檔，包括說明書、電路圖、材料單、Gerber圖和評估指南，文檔包可以由www.onsemi.com下載(搜尋關鍵字: GreenPoint)，同時並提供相關業內信息和其他支持信息的鏈結。
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封裝與售價

3 G+ }' A4 n3 v# S7 k: @NCP1396採SOIC-16封裝，每2,500片的批量單價為$1.60美元，此外也將在近期內推出PDIP-16封裝選擇。

innoing123

安森美半導體推出用於網路及通訊應用的高性能時脈分配方案
超低抖動、雙差動2:1時脈/數據多工器及3:1:10扇出緩衝器用於新一代系統設計

9 m* B6 D0 I( k* q) n2013年2月27日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的時脈分配積體電路(IC)。
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0 h0 Y% p2 A  i- _安森美半導體工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：「 NB6L56為業界提供了更先進的2：1信號管理方案。這元件與市場上現有產品的接腳對接腳兼容，但提供大幅增強的抖動性能，使眼開放(eye opening)更寬，因而提升系統可靠性。它能處理達2.5 GHz的時脈速度及達2.5 Gbps的數據流，而能耗極低。這元件與NB3F8L3010C相輔相成，後者在性價比、靈活性及性能方面更引人入勝，使其非常適合於通訊基礎設施應用。」

NB6L56 2:1時脈/數據多工器性能極佳，它採用2.5伏(V)及3.3 V供電電壓工作，其差動輸入整合了通過VT接腳連接的內部50 Ω端接電阻。此功能使這元件能夠接受多種邏輯電平標準，包括低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)、電流模式邏輯(CML)及低壓差動信號(LVDS)。輸出為800毫伏(mV)射極耦合邏輯(ECL)信號。即便分別以2.5 GHz頻率和2.5 Gbps數據率工作，這元件產生的附加時脈及數據抖動也極小。所以NB6L56非常適用於同步光纖網路(SONET)、千兆位乙太網(GbE)及光纖通道(FC)網路基礎設施，以及其它電信和數據通訊應用。

: p4 N7 D$ ?& _3 V9 WNB3F8L3010C 是一款3:1多工器及1:10時脈/數據扇出緩衝器，針對網路及通訊應用。這元件採用3.3 V或2.5 V內核供電電壓工作，差動輸入接受LVPECL、LVDS、主時脈信號等級(HCSL)及短截線串聯端接邏輯(SSTL)信號。它提供共10路單端LVCMOS輸出，每路均能以200 MHz工作。輸出歪斜率(skew)典型值保持在僅10皮秒(ps)。NB3F8L3010C和NB6L56元件都支持-40 °C至85 °C的工業溫度範圍。
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封裝及價格
NB6L56和NB3F8L3010C都採用低高度的5 mm x 5 mm 32接腳QFN封裝供貨。它們每批量1,000片的單價分別為4.92美元和4.41美元。

mister_liu

LC749000PT和LC749000AT能夠配合頻率解析度達寬視頻圖形陣列(WVGA)的裝置，並整合了類比數位轉換器(ADC)，能直接接收照相機的類比圖像信號輸入。內置圖像解碼電路能解碼NTSC及PAL制式的類比圖像信號，再根據已連接的LCD螢幕的解析度，採用去隔行/縮放方法調節解碼圖像的信號的大小，以提升圖像品質。帶抖色處理功能的24位元或18位元RGB輸出再由內建可編程時序控制器傳輸至應用的LCD面板。
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( J2 j4 e0 F1 l& R' c$ J: _安森美半導體新的圖像信號處理器IC集結了專為最佳化顯示圖像的特性，包括能自動將視頻輸出調節至適當顯示幕解析度的縮放器功能，及能將粗糙漸變至平滑的校準功能。同時，內置動態伽瑪矯正功能幫助提升低光照中的明視度，及光照變化環境中使用的視頻與相機之顯示幕對比度。可編程伽瑪矯正功能能快捷、簡單及方便地調校LCD面板。

( b, @9 u3 g9 R0 D' d+ l8 A兩款新元件都內置螢幕顯示(OSD)功能，使文本字符能夠附加在圖像數據上。這些元件還內置OSD開關，採用額外圖形IC來提供更先進的圖形覆蓋。同時，脈寬調製(PWM)支援自適應LED背光控制功能，省電約35%，提供更佳效益。LC749000PT和LC749000AT採用外部微控制器(MCU)通過I2C或序列週邊介面(SPI)控制。硬體驅動的圖像處理將微控制器及車載攝像應用的軟體負荷減至最低。外置快速EEPROM啟動功能確保LCD面板在汽車引擎啟動後立即工作，這功能對倒車影像及其它眾多非汽車應用而言極為重要。

. w$ |+ ~0 m" P9 s5 Z安森美半導體三洋產品部總經理Hideya Ohashi說：「汽車倒車影像及其他小LCD螢幕應用日漸普及於汽車或非汽車電子應用。在此需求背景下，市場對圖像清晰度的要求更加嚴格，務求將應用的好處，包括安全度提升至最高。此外，降低能耗也是一項挑戰，特別是要降低汽車系統的能耗，以將電池的負荷減至最低。安森美半導體新的影像處理器IC能滿足這些要求，配合此重要技術領域更快地採用。」
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7 G8 y( M2 q! h1 z封裝及價格
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1 U; J! }2 q! _& h( jLC749000PT和LC749000AT採用無鉛及無鹵素的TQFP 120接腳封裝，每批量1,000片的預算單價為8.00美元。

mister_liu

安森美半導體新視訊訊號處理器IC 降低小LCD面板的能耗並提升圖像品質
# H1 ?& _0 s* Z0 c' Y高能效元件適用於汽車倒車影像及家庭保全監視器等小LCD螢幕應用

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( r3 o- @5 x, A" ?/ _9 \* H/ |2013年1月10日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的高整合度圖像信號處理器積體電路(IC)，適用於小液晶顯示LCD螢幕，如汽車倒車影像、車載導航系統及各種消費類視頻監控保全系統。針對汽車應用的LC749000PT和針對消費產品的LC749000AT為終端應用節能，並採用先進的信號技術以提升數位壓縮圖像的品質。

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LV8702V是安森美半導體AMIS30542/43/22/12系列帶無感測器馬達回饋的高度智慧型步進馬達控制方案的另一成員。這系列產品為設計人員提供適合寬廣應用範圍和驅動電流的高性價比及領先的性能。如今，停轉檢測、步損及電流驅動最佳化等先進功能易於整合到此前或因成本而不用“高階”馬達控制功能的應用中。

$ k0 Q& f6 F# L) G. n1 _* ?價格及供貨
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LV8702V採用尺寸為5.6 mm x 15.0 mm的SSOP44J封裝。此元件每批量2,000片的預算單價為6.00美元。
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) w1 l) t) G% o' r/ O! F *1 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A
                        勵磁模式：半步；速度：1,500 pps
4 q  h4 E4 b3 a' I* K                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載

( |& B; {6 m* M9 g% S. i* F4 k. V: q*2 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A
& N# V( v3 m% ~- s; ]( h; V! X$ m                        勵磁模式：半步；速度：2,000 pps
                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載；上電時間：20分鐘

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安森美半導體推出高能效馬達驅動器IC，用於辦公自動化設備
0 U1 p2 {6 J0 Y5 vLV8702V經過了最佳化，以降低馬達雜訊、減少振動及發熱量，並節省高達80%*1的空載能耗

2012年12月20日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的步進馬達驅動器IC——LV8702V，提供比市場上現有產品顯著更高的能效。此元件針對影印機、掃描器及多功能印表機等辦公自動化設備應用而專門設計。  
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" X9 b# R' W' l+ Y( q: ~, @安森美半導體三洋分部電源產品總經理Tsutomu Shimazaki說：「 近年來，多種電子產品應用中使用的步進馬達的能效很低，已經成為全球業界關注的問題，也是電源系統設計工程師須面對的挑戰。LV8702V克服此挑戰，提供獨特的驅動系統，使其能夠節省空載能耗達80%*1，並降低馬達峰值電流近77%*1。這方案大力幫助我們客戶開發辦公自動化電子產品，符合提升能效的全球需求。」

特性及優勢

+ Y8 m( \+ @, M- \LV8702V除了降低總能耗，還幫助減少或降低印表機位置控制等應用中的馬達的發熱、振動及雜訊。由於能效提升，此驅動器IC和馬達的表面溫度分別下降達46ºC和28ºC*2，可以幫助省去冷卻風扇，節省相應的空間及成本，並提升系統可靠性。LV8702V步進馬達驅動器IC通過監控驅動器波形來檢測馬達狀況；此元件根據馬達轉速或負載來自動減小電流值，因而降低能耗。此新元件的工作電壓範圍為9伏(V)至32 V。保護特性包括輸出短路保護、過熱關閉功能及失步(step-out)檢測功能。

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安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說：「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響，持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」

4 r" d7 k( o% \% Z. B7 @: B第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款元件均經過高度最佳化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。

/ g' B4 R5 g- z  E! T8 L) `第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極體，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些元件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。  

& w( U9 p$ Y' T% ~6 a封裝及價格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。

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安森美半導體擴充用於馬達控制、太陽能及不間斷電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT陣容
新的場截止溝槽型技術元件擴大額定電流，提供高速開關能力，用於嚴格的電源應用
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Oct. 24, 2012 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件，推出9款新的高能效方案。  
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4 d, V' C/ n4 v9 [5 M這些新元件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT元件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不斷電供應系統(UPS)應用高性能電源轉換的元件。

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安森美半導體提供更先進的ASIC及ASSP產品 與領先晶圓代工廠商的合作使公司能將65 nm和40 nm工藝技術用於工業及軍事電子應用

2012年10月11日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)與關鍵晶圓代工廠合作夥伴協作，現提供採用65奈米(nm)及40 nm工藝技術的寬廣陣容數位產品。安森美半導體與晶圓代工廠加深合作，將使公司能夠繼續為軍事、航空及工業客戶提供業界領先的特殊應用積體電路(ASIC)和特定應用標準產品(ASSP)，包括安全加密晶片及商用軍事航空元件，以及多種工業應用如GPS系統、儀器設備和工業自動化設備等。
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這些協作令安森美半導體能夠提供高性價比方案，同時為客戶提供完全遵從嚴格的國際武器貿易規章(ITAR)的晶片。客戶如今將獲得更廣陣容的授權智慧財產權(IP)，包括最新ARM處理器內核、高速串列解串器(如PCI Express、光纖通道及10 Gbit乙太網)、DDR3 RAM記憶體、USB 3.0互連等。此外，公司的產品還遵從Do254及AES9100等軍事/航空標準。

  D* S3 ~. w  ]3 z# U) K安森美半導體數位、軍事/航空及圖像感測器產品分部副總裁Vince Hopkin說：「安森美半導體通過與一些世界領先晶圓代工服務公司的技術合作，在市場上持續據極有利地位，如今又增添了滿足高端及成本敏感型設計要求的能力。利用從我們晶圓代工合作夥伴獲得的IP授權來與ARM和Synopsys等技術合作夥伴的IP及我們自己專有IP相輔相成，我們能夠在產品中嵌入特性豐富、高整合度的功能，符合即便是最嚴格應用的性能要求。」

sophiew

imec的廣泛規模研究專案著重於開發200 mm晶圓上的矽基氮化鎵技術，及降低氮化鎵元件成本和提升性能。imec匯聚領先整合元件製造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經卓有成效地取得重大技術進步。

2011年，imec的研究項目成功地生產出200 mm矽基氮化鎵晶圓，使工藝讓標準高生產率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發了相容於標準CMOS工藝及工具的製造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。

9 s, z$ u( E! {; K# c5 A/ o安森美半導體資深副總裁兼技術長(CTO) Hans Stork說： 「身為提供寬廣陣容高能效元件的全球20大半導體供應商之一，安森美半導體氮化鎵技術研究已持之多年，如今正在公司的比利時Oudenaarde生產廠建設氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現有的市場地位，並將可説明我們為客戶增加有競爭力的前沿技術。我們期待與想法相近的公司聯盟協作，在此領域進行前瞻性研究。」

imec智慧系統及能源技術副總裁Rudi Cartuyvels說：「我們的矽基氮化鎵聯合項目持續出現非凡進展，不斷推動降低生產成本。安森美半導體最新加盟成為策略專案合作夥伴，進一步推進我們的集體專業知識。充分利用聯合研究將幫助我們克服邁向經濟的大批量製造的下一個關卡，最終將氮化鎵功率元件上市。」

sophiew

圖片：imec採用200 mm CMOS相容型矽基氮化鎵工藝的功率元件

2012年10月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)加入了領先奈米電子研究中心imec的多合作夥伴業界研究及開發項目，共同開發下一代矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率元件。
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  A3 |, W  y% c; |1 [) U5 s' d$ b* K氮化鎵具有優異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合於要求高開關能效的功率元件及射頻(RF)元件。如今，基於氮化鎵的功率元件成本過高，不適合大批量製造，因為它們使用非標準生產工藝在小半徑的晶圓上製造。

amatom

安森美半導體應用於下一代電腦平台的產品包括：
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5 p' _+ t% x$ O8 \8 ~& a7 K-        安森美半導體首個基於可控矽整流器(SCR)的靜電放電(ESD)保護產品，此產品提供急速反回(snap back)及業界最低ESD鉗位元電壓，能夠保護幾何尺寸低於22奈米(nm)的晶片組。此技術的最大電容僅為超低的0.25皮法(pF)，為USB 3.0及Thunderbold等高速介面提供了最佳方案。
1 \$ H, v* B0 Y$ U- e& q5 f) C3 h
-        NCP1851完全可程式設計鋰離子(Li-Ion)開關電池充電器，此元件大幅加速充電過程、改進啟動序列及最佳化電池總壽命，用於智慧手機、平板應用及其它手持可攜式裝置。
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-        NCP6132A及NCP6153電源控制器結合真正的差分電感直流阻抗(DCR)電流感測、輸入電壓前饋及自我調整電壓定位功能，為桌上型電腦及筆記型電腦應用提供精確穩壓的電源。控制系統基於脈寬調製(PWM)，還結合了DCR電流感測，為動態負載事件提供最快的初始回應，並降低系統成本。
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+ _* q# I$ Y: x5 Y5 N-        全系列節省空間的雙增強熱性能分立MOSFET，用於元件密度及散熱效率要求高的網路、筆記型電腦、伺服器及圖形卡應用。
8 k& f0 T) {  q$ W' [+ l6 Z2 J" E
-        NB3N1XXK和NB4N1XXK系列差分時鐘及資料扇出緩存增強系統靈活性，使設計人員可以輕易地連接多路輸入信令方案，非常適合於要求多重備份符合PCI Express (PCIe)標準的高精度、低相位雜訊時鐘信號的系統。
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-        新的ecoSWITCH™先進負載管理系列元件，提供重要的成本及佔用面積節省，以及市場領先的性能，包括：超低導通阻抗(RON)、市場上最高的電池承載能力、故障保護、可配置浪湧電流控制及其它特性，且採用極小封裝。

-        NIS5132和NIS5135單片積體電路，提供優異的保護性能，增強硬碟驅動器或其它電路的可靠性，保護它們免受災難性故障及關閉故障影響。

amatom

先進的產品系列連通電腦系統從主機板到電源到週邊，並符合最新功率密度及信號完整性需要

2012年9月12日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充產品系列，簡化及加速電腦平台的設計。  

安森美半導體計算及消費產品部資深副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「隨著個人電腦體驗歷經進一步轉變，安森美半導體貫徹聚焦於以創新的元件推進高能效及功率密度，説明原設備製造商(OEM)簡化設計，加速開發過程。我們一貫地提供整合方案不單能以更高頻率工作，並具備更優良的電源管理及更高的信號完整性，同時將佔用的電路板空間減至最少。安森美半導體的方案使現代高性能電腦應用中能有高速連接。」
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- n" s2 V, v/ `3 y$ w安森美半導體設計的產品旨在用於桌上型電腦、伺服器、筆記型電腦及平板電腦中所有的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統電源及適配器中的電源轉換、時鐘產生及分配，以及高速介面開關及保護。公司的電腦產品系列還因應業界從傳統計算技術邁向智慧手機及平板電腦等移動平台，提供方案以解決將新興串列通信整合到系統設計之挑戰。

公司寬廣陣容的電腦方案包括：多相內核電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體 ；以及用於電腦及週邊應用之電源開關、介面、保護、濾波等方案。

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2012年2月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。  

公司推出的下列新產品的提供業界領先的待機能耗，維持我們身為首要高能效方案供應商的地位：
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6 k  c& w8 s9 f& m1 L+ g2 B-  NCP1246固定頻率電流模式控制器在交流-直流(AC-DC)適配器應用中提供極低的空載輸入能耗。此元件包含整合的X2電容放電電路，省下了X2電容放電電阻。NCP1246與NCP4353或NCP4354結合使用時，且能夠進入低能耗休眠模式。這產品組合使65 W筆記型電腦適配器提供低於10毫瓦(mW) 領先市場的空載輸入能耗。
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-  NCP4353和NCP4354次級端開關電源(SMPS)控制器針對要求空載條件下能耗極低的應用。這些器件檢測空載條件並通知電源進入低能耗關閉模式(初級端控制器停止工作，能量由輸出電容提供)。集成特性包括恒壓及恒流穩壓，以及用於適配器指示燈的可選內置LED驅動器。
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+ b  j+ H" u' \9 T: j3 `) l( g6 o8 r-  NCP1611有源功率因數校正 (PFC)控制器 為AC-DC適配器、平板電視及照明鎮流器提供升壓預轉換器功能。這控制器採用創新的電流控制頻率反走(CCFF)架構，將額定負載及輕載時的電源能效提升至最高，拓展了傳統臨界導電模式(CrM) PFC控制器的優勢。

( ^* j* u! c7 J* e-  NCP431三端分流穩壓器是與業界標準TL431引腳對引腳相容的升級產品。NCP431能夠採用業界領先的40微安(µA)偏置電流工作，顯著提升要求極低空載輸入能耗的開關電源之能效。

-  NTST30100SG肖特基整流器 – 30 A、100 V溝槽型器件，提供更低正向壓降和更低漏電流，帶來更高電路能效。NTST30100SG不同於平面型肖特基整流器，其開關性能在整個工作溫度範圍下都保持穩定。

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新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件採用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，説明設計工程師符合高能效標準規範要求，不會增加複雜度，例如無須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生「夾斷」(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度範圍內都很優異。
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' c5 V; h# O/ q; H為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的資料顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。
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安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：「我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。」

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安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列 提供更高的開關能效
6 c  L5 m+ L3 I; k( e: W新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪湧電流處理能力，用於計算及消費應用

( l. {+ E  K3 s: Z8 [" @
% X, H& V: @* M- o2011年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

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公司寬廣的計算方案系列包括：核心電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理 ；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體；以及應用於電腦及外設應用的電源開關、介面、保護和濾波等方案。  

- x; J' N# C6 J5 o" I, E+ S7 s安森美半導體提供的下一代計算平台應用的最新產品包括：
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-  ESD7008、MG2040及ESD7104：為USB 3.0、HDMI™、DisplayPort及Thunderbolt (Light Peak)等高速資料及高速視頻線路提供靜電放電(ESD)保護及業界最低電容、最高訊號完整性和最低鉗位元電壓。
-  NCN3411及NCN3612B：應用於PCI Express® 3.0的最新方案，提供配合PCI Express 3.0標準的業界首款1.8伏(V)開關，具有8 Gbps頻寬能力及業界最低靜態電流。
9 Q9 h6 g* T2 i% y; H' Q) x& N6 h-  節省空間及增強熱性能的雙MOSFET完整系列：應用於元件密度及熱效率要求高的網路、筆記型、伺服器及顯示卡應用。

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產品系列涵蓋整個計算生態系統，應用於包括主機板、電源及外設，並同時解決功率密度及訊號完整性的挑戰
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& u" E7 C3 U  W8 J( o0 D# h5 USept. 21, 2011 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續為簡化及加快計算平台設計擴充其產品系列。
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! Z$ i4 r3 C. K2 T1 _9 v安森美半導體計算及消費產品部高級副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「我們的策略是繼續專注產品開發，幫助原始設備製造商(OEM)簡化設計、加速開發並降低總體能耗及節省電路板空間的產品。隨著傳統計算與移動設備(如平板電腦與智慧手機)之間的界線日趨模糊，我們更須計算注重提升能效、功率密度及訊號完整性。」
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  I7 r: G* @" W4 Z& G9 l$ O安森美半導體的產品系列應用於桌上型電腦、伺服器、筆記型及平板電腦的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統“銀盒型”(silver-box)桌上型電腦電源及適配器的電源轉換，以及高速介面開關和保護。針對業界越來越多地將計算技術轉移到智慧手機等移動平台，公司最近推出了擴充的產品系列，包括業界首款移動高清連接(MHL)開關，讓使用者能夠同時將高清(HD)視頻從智慧手機和平板電腦傳輸至高清電視及為電池充電。

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NBX系列增加的新產品具有雙電壓能力，支援新頻率，總頻率穩定度低至±20 ppm，配合下一代系統要求的更高複雜度
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2011年5月4日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其矽晶體振盪器(XO)時脈模組產品陣容。NBX系列新增的6款元件具有雙電壓能力和領先同類的總頻率穩定度(低至±20 ppm)，提供高性價比、高精度的參考時脈方案。這些新元件符合路由器、交換器、伺服器及基地台等應用中最新2.5 V/3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)設計的時脈產生要求。

這些新元件支援同步光網路(SONET)、十億位元乙太網(GbE)及區域網(LAN)/無線區域網(WLAN)等應用的頻率。NBX系列提供與石英三次諧波晶體振盪器或表面聲波(SAW)產品相近或甚至更好的性能，-160 dBc/Hz的超低相位雜訊、典型值0.5皮秒(ps)的均方根(RMS)相位抖動及低誤碼率(BER)尤為突出之處。

安森美半導體訂製工業及時序產品業務部總監Ryan Cameron說：「頻率及電壓範圍的擴展為從事LVPECL時脈樹設計的設計人員提供了更多更好的選擇。NBX系統提供更高的性能、雙電壓靈活性及比石英晶體振盪器更短的交貨週期，保持領先於此領域不斷成長的應用需求。」
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NBXMBB024和NBXSBB024支援的新頻率是622.08兆赫茲(MHz)，NBXHGA017是156.25 MHz，NBXHGA019是125.00 MHz，NBXSGA008是161.1328 MHz，NBXHGA053是50.00 MHz。

NBX元件採用無鉛、符合RoHS指令的密封5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝元件(SMD)封裝。這些產品每1,000片批量的預算單價在3.00至5.50美元之間。

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在2001至2004年間，Abe先生擔任德意志證券(德意志銀行集團附屬公司)執行董事及全球企業金融主管，負責在日本的投資銀行事務。2001年以前，他擔任過不同領導職位，包括Deutsche Bank Alex Brown全球半導體投資銀行主管及TMT亞洲投資銀行主管，也曾在Bankers Trust、Alex, Brown & Sons及Mitsui & Co., Ltd等任要職。Abe先生持有美國斯坦福大學工商管理碩士(MBA)及日本早稻田大學理學士學位。
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" U, S( H+ J. K董事會新設立的委員會
安森美半導體還宣佈公司董事會下成立兩個新的委員會，分別是整合督導委員會及科學與技術委員會。   
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整合督導委員會將督導整合三洋半導體的事宜及委員會決定的公司任何未來收購的合併整合事務。整合督導委員會的初始委員包括Atsushi Abe(主席)、Daryl Ostrander及Manny Hernandez。  

科學與技術委員會將在範圍、方向、品質、投資水準及公司技術戰略的執行等方面為董事會提供建議。該委員會還將評估公司技術戰略狀況及公司智慧財產權(IP)範圍與品質。科學與技術委員會初始委員包括Phil Hester(主席)、Dan McCranie及Daryl Ostrander。