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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?): S  a# d! T3 Z; F- I

5 I$ A' i6 J5 v: D想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓
1 N% m  P1 g1 j, B3 g0 @/ U  s  `2 Q# q
這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?% [1 f6 {9 L5 l: U, t

0 p) x+ h4 E8 Q/ REX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?
5 }) M( p. t6 K4 a7 h8 a, J" w& x( G0 w$ O
以下是 LDO 的相關討論:$ ]: g  I  E2 v+ P
Low Drop-Out Voltage Regulators
2 X# M6 n0 m. t- mRincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
& e9 \6 g5 H* P0 H0 G/ [PMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction 0 C! F. N: t6 j3 {, r$ \* l
LCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]
- N' }& z# X8 ]) s% n  C, E4 GThe evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]
7 T* D, ~' q& YDesign of High-Performance Voltage Regulators4 c6 W/ X, X, E5 e: w. S; z
请教有关LDO的问题
( d7 ?1 a0 q  u, z4 C2 i7 @  z  |0 r  J7 t; y9 m: @
2 w$ r, t' i! s8 ?8 j* X
' R, m7 b& X9 `( Z+ {' J
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好
% |1 `& Q, F  ]+ x+ F因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關5 c# `, ~. h9 o: @
不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來. R/ ^: L$ d9 w* e8 p8 c, d

, ?( J5 w  u+ B0 T: {# ?9 T$ q0 w" A% u其他就和大大們說的差不多: H: D* q, }: s7 q. {/ D
太大 占面積  g1 _- k! d- ]6 ?
太小 耗電流9 i; K' ?4 h( b. ^( t
" C# L( [5 @7 e
不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積6 G: O$ u  p4 `4 I  x
另:
( L& f  F" C+ P; [% m8 i- h% YFB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic
* D- K7 r* T5 w* [1 v
* ^! I3 N( [9 [* r有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..6 _# C; g& [) h# D8 o

2 }; x4 O( ]& `1 q) [' P雖然以公式來看 效率等等會越好) m1 v7 R: S8 L, X& T4 }, o5 L' ]

8 Z  J4 D2 |' t$ P" E2 z( O' C% T我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時* V: R% C9 r( t* p2 e5 v0 H  e

3 v+ h3 j3 L' w: d流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive ! G8 s. u* h  ^7 P; {" [
1 v' a" |) ^0 T+ z# v" @9 F
導致LDO輸出端,十分的敏感。.....- Z, x: Z( C$ n5 [$ A- e7 O3 Z

9 x; J" u: ~0 y3 `0 m3 r
( X3 j! p: U  F3 a0 w2 G純猜測...
6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。
! K) W' @* h; @一般幾百K左右。
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表
+ d# w6 J6 a" O  s* n/ j范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
2 B. y  |' {  Z1 f0 g/ E* [% t5 q

2 P: K- Z, v& b费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。  x: m: f5 @& P0 {
楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,* K, C6 H. P1 `" e' a$ Z1 h
在spec中一般会有IFB current 这一项。。。+ [! T) E, _4 k4 c1 O
其实,你可以这么看,+ ~: D1 y# }2 S  u0 U& ^
feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。
5 ^/ K2 {2 A4 _" i* T0 a8 k有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com
8 ?& p' l% J; O; X- I$ f
1 ^; R. N3 s4 `) _6 S7 f[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
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