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[問題求助] p+ poly電阻圍nwell的用意?

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1#
發表於 2009-4-26 12:37:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問前輩...
' S6 t4 j8 f1 a一般在layout上...p+ poly 電阻要求外面圍一圈nwell主要的用意是什麼?9 L/ U$ b* ?* M
應該是要隔絕noise吧?其原理是因為n-well較深...所以隔絕效果較好?' |7 k! Z( g- \( O, {/ t% U

; R9 @6 f% N. k. ~0 |* a/ b外圍的nwell電位需接到哪裡?最高電位或讓他floating?3 k4 x% N, Y6 ]6 _; j3 L
這兩種接法有什麼效果上的差異?
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22#
發表於 2009-7-27 14:34:02 | 只看該作者

隔离沉底noise。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

隔离沉底noise。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
21#
發表於 2009-7-13 11:32:16 | 只看該作者
NWELL接地的话,要特别注意衬底去偏的问题(sub debiasing)。如果Psub-Nwell PN结正向导通的话。会向衬底注入大量少子。引起更多问题。& v& s0 [3 D+ H" T3 k1 Z
可以参考《The Art Of Analog Layout》13.2.1节。
20#
發表於 2009-7-10 15:25:41 | 只看該作者
不知道这样做有没有作用,其实最好能做个版本对比验证一下!呵呵。
19#
發表於 2009-7-8 21:57:37 | 只看該作者

隔离衬底噪声的作用

隔离衬底噪声的作用,你图形中华的用中空的 nwell,个人认为没有什么意义。
18#
發表於 2009-6-24 14:58:20 | 只看該作者
发表下不同意见哈:+ w1 ]8 T, O1 p

/ H" X% |( a6 a5 n# k  `2 p1 q/ |我认为应该接低电位,但是一定要从pad直接拉过来的低电位,就是因为高电位很难找到,如13楼所说。接高电位,弄不好隔离环变成干扰源啦……
17#
發表於 2009-6-11 00:19:51 | 只看該作者
又吸收到了一點知識
0 p6 v) z+ F* U0 H' Q; |. g; b1 j& C感謝各位大大的解說 ' D, P# p2 I: {. t7 f3 A8 F8 c
哈哈推推推推推推推推推推推
16#
發表於 2009-6-4 22:07:49 | 只看該作者
我也覺得是避免SUBSTRATE NOISE COUPLING的考量..
15#
發表於 2009-6-4 20:11:27 | 只看該作者
因为一般我们都用psub,为了实现电阻隔离,比如说隔离噪声什么的,用一个nwell,nwell还有一个作用就是在上面可以进行cmos器件制作!
14#
發表於 2009-5-13 13:52:56 | 只看該作者
原帖由 alai 於 2009-5-5 09:28 AM 發表
+ G. J6 X% j- I" V4 z畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。

: Q8 b3 F8 s8 l& v+ c$ A7 h. R' B  c. _/ q2 a" s  O
$ p: @. w$ t. t8 p  h
如果是劃在NWELL里面
$ I# {7 y; o. q" G3 I. \
0 n( `. M7 @+ Q: e% _哪我的看法是,雖然有隔離噪聲的因素在里面。但是更重要的因素,要去看FAB的layer generation file了,很多時候,由于不是所有的層次都是畫出來的,比如LDD是靠幾個drawing layer產生出來的。- V8 U5 o4 d9 P7 T1 A
所以畫在nwell里面的ppoly電阻和劃在襯底上面的pploy電阻的阻值很可能是不一樣的,這個和FAB有關,而這才有可能是制定這條規則,讓ppoly電阻一定要放在nwell里面的重要原因。
1 ~/ n, P% c, w0 Z! X6 q8 ~) g( `1 h( S. n# I  T5 Y; g
至于噪聲,如果不是高頻的應用,由于ppoly電阻是放在STI上面的,哪么厚的氧化層,那么小的電容,所耦合上來的噪聲,我認為和電阻本身的噪聲相比,是微不足道的。
13#
發表於 2009-5-5 09:35:43 | 只看該作者
原帖由 trustrain 於 2009-4-30 10:18 PM 發表
& t! I  {/ |- ]4 w  N: e( h4 d我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題,造成效果沒有接高電位好,
7 q% V2 X4 t, ^" E6 j7 e9 _$ R或是沒有效果...

* s& p2 Y2 T0 _, C% y0 Q  ?" v% u9 p' G! z6 k1 }, h
兄弟:' [- A% l; r2 Q7 k  k) X( E( _* R
7 q- }- ~8 n! a6 T3 J$ K
沒有電位差的問題,因為metal和si的接觸電勢差和PN結的內建電勢差剛好相反大小相等而抵消。接地電位的方法沒有接高電位的好是因為depression宽度没有接高電位寬。7 m1 ?) J) o; M- s/ V
2 w  d& f0 G9 j- t& Z# e
使得消除noise的能力變差。但是,接高電位需要安靜的電源,有時候這個並不是很方便能得到。
12#
發表於 2009-5-5 09:28:10 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。
11#
發表於 2009-5-2 15:49:39 | 只看該作者
建議接乾淨的高電位,一般是接analog power .......
10#
發表於 2009-4-30 22:34:14 | 只看該作者
蓋整片的nwell,有時對特別的poly電阻會這樣劃,當然poly電容
9 h" O! Y6 K* l7 {# K也會,若接高電位的話當然也是接純淨的power。
9#
發表於 2009-4-30 22:18:27 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題,造成效果沒有接高電位好,: s+ F" b9 R' r# v5 {2 [3 A, K
或是沒有效果...
8#
發表於 2009-4-29 20:49:08 | 只看該作者
我想知道外面圍一圈NWELL7 ~5 ^1 R' v  R! M  G8 F5 |

5 u9 m  V3 k9 B5 N是指外面圍一個中空的nwell,而里面圍著的PPOLY還是放在P-SUB上8 X9 N. F4 b, n5 c% E. o: D
+ f! j, e8 M; O
還是指這個p-poly電阻是畫在nwell里面的?

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x
7#
發表於 2009-4-28 20:36:59 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

接低电位收集noise效果没有接高的好!
6#
發表於 2009-4-27 22:03:18 | 只看該作者
终于知道这样做的原因了,拜楼主的问题。
5#
發表於 2009-4-27 21:38:31 | 只看該作者
謝謝大大的問題,拜大大的問題,讓我又多吸收了些知識  thank you
4#
發表於 2009-4-27 19:35:34 | 只看該作者
還有一種接法是接在res電位較高的一端,當然,這樣接會引入寄生電容。這個要結合電路來考慮。
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