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樓主: sjhor
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[問題求助] e-fuse?

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11#
發表於 2008-1-16 09:40:27 | 只看該作者
就我的認知,e-fuse只是一個有別於傳統laser trim之方法的簡稱9 r" d! M% E& y$ W
實現的方法有許多種! F- |; G4 M0 z! @
1. 採用trim pad : 利用大電流燒斷metal / poly 作為 0/1 的信號, E) b; I1 A6 V+ J+ t$ ]6 V9 w
2. 採用EPROM/OTP(含1P OTP)/FLASH/EEPROM 等元件當作是 0/1 的信號
! ]% J! G/ ^* {, V0 a7 q/ e7 O% ^  ]    在power on時讀取data,力旺的IP即是以1P OTP當e-fuse

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10#
發表於 2008-1-12 01:41:29 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

一般的fuse 是由一條條的 Metal 電阻或是其他種類的電阻所構成的邏輯電路" H( {- g  B( S$ }$ w* C4 ~0 K
當CHIP Power up之後, fuse ckt的output會被keep在 high
) W8 i  |8 d2 {; G. e直到你需要去 trim timing或者是 voltage的時候 把相應的fuse用 Laser打掉
5 {" H- p- S- K1 T$ w& g讓 原本輸出為 High 改變為 Low準位  從而改變 timing或是 voltage& \2 @! Y/ `/ R# P$ h6 J; |5 P
, [& l( N+ h% \: E2 o1 X5 i
但一般來說這種作法 需要測試工程師在機台上去打, 如果 貨交到客戶上才發現
0 Y8 A/ F% R) j, k9 B3 Xtiming或內部電壓需要調  甚至是有 ARRAY CKT Cell fail時  (這是惡夢!!)
0 \, y& }" W, \0 u; C這時候你如果有 e-fuse 電路   就可以用  高電壓來取代 Laser/ m" O1 }# G' l: w% y9 d% a$ r
把 fuse 燒斷, 達到你想修補 fail Cell, 或者是 trim timing 及電壓的目的
5 [6 Y" y3 N3 T& z% _8 y. K* @7 V9 \/ M) X/ f( f
但是一個e-fuse電路 相對於一個一般的fuse電路來說 面積會大很多
9 ^6 z* y# \0 S" r. x基於殺雞不可以用牛刀的前提下,  e-fuse電路必須要用在刀口上才行

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9#
發表於 2007-11-20 14:02:51 | 只看該作者
不错的技术讨论,也想增长一下fuse方面的经验,谢谢各位不吝赐教.
8#
發表於 2007-11-20 01:11:03 | 只看該作者
推  
* s: y1 {+ s5 O" }) _好文章  就是要拿出來大家分享. F! g/ i. Q: E8 u+ V1 g1 o
這樣台灣的rd才會變強
7#
發表於 2007-11-19 16:09:51 | 只看該作者
goods, thanks a lot, I like it so much...
6#
發表於 2007-11-17 17:21:50 | 只看該作者
請問我已經付完了~~為什麼也不能Download呀 ? . N" s8 J; H* T( C$ [
請您寄至小弟的mail可以嗎 ?! E6 m4 H* t/ p, t, g" i/ t
antigm@pchome.com.tw9 e2 A  w3 A% o7 \
謝謝~~1 _9 E" I' K+ c2 J/ J

4 {% u1 x4 x6 l原來權限=20,現在成10了。
( z9 a( n* R$ E; v- N9 a6 g1 k: A: t0 Y1 M+ z( ~; Z( y
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:40 AM 編輯 ]

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sjhor + 1 全線已經改為10!應該可以下載了!!

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5#
 樓主| 發表於 2007-8-30 09:21:07 | 只看該作者

回復 #4 JohnsonLLL 的帖子

我想 e fuse 的好壞需要與傳統的 fuse 來比較!!6 v: C7 F5 E$ F6 n0 {& L
傳統的 laser fuse & current trim fuse 在網上已經有相當多篇的討論了!!
. a" l7 e6 H" T# tlaser fuse 其 chip size 增加較小  但是要用 laser trimming 的機台  這也需要費用 還有 laser repair rate 的問題。" N3 X# ?3 b+ R6 Z+ ?8 {& o$ v
Current Trimming 也會增加相當多的 chip szie 也是會增加相當多的成本!!. S' K4 {( p/ M# c

% Q  E8 T9 {0 T. r) j; l目前比較不了解的是 e-fuse 是不是有比較佳的成果!!
4#
發表於 2007-8-30 04:35:09 | 只看該作者
大大的解釋說明,好詳盡。. g! U7 M3 v9 u! T4 R" @: L
但e-fuse主要還是用在客製化的產品和需要驗證的產品。
+ U2 v5 k* V- L8 w若將e-fuse常用於產品中,會增加die size的成本。
3#
 樓主| 發表於 2007-8-24 09:32:49 | 只看該作者
這邊有一篇IBM介紹 efuse 的文章 相當不錯9 Q2 B5 E$ t/ u0 Q

& O" Z9 G% g9 a介紹給大家唷!!( y+ d$ L4 s$ n- T. j* x
/ @$ w$ g; k! q) K$ l
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:37 AM 編輯 ]

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x
2#
發表於 2007-8-24 00:12:49 | 只看該作者
這是在網路上找到有關e-fuse的解釋:
8 Z0 ?# G: Y2 ^9 AA method of using an e-fuse device is provided. The e-fuse device includes a poly-fuse having one end connected to a source/drain region of a MOS transistor and the other end biased to a voltage (VFS). In operation, a gate of the MOS transistor receives a step waveform pulse signal. The step waveform pulse signal encompasses a pre-heat voltage (Vp) at a first level during time period (T1-Tp) and a maximum input voltage (VIH) at a second level during time period (Tp-T2). The pre-heat voltage (Vp) is smaller than the maximum input voltage (VIH). The step waveform pulse signal is confined to a minimum input voltage (VIL) before T1 and after T2. Preferably, the time period (T1-Tp) is longer than 5 μs.' [+ ^$ j' A( V+ C

& x- y% e( _) L- X個人經驗:
" ^- O& @- I- b9 T原理就如上面所提,它算是一種類似保險絲的被動元件,可以由外部來設定為"1"或者為"0",而設定的動作在我們拿到wafer且經過初步量測後即可作設定的動作,再者,它只能用一次,設定後便不能再更動2 B% p/ t9 L2 _4 C5 s# F+ A8 S' z0 {1 c
不過,要用e-fuse要看製程廠本身有沒有提供這種元件,如果製程廠沒有這種元件的話,那就無法使用,只能使用變通的方式,如metal option4 E/ g; N% l: ?/ E( S9 D$ F( C

) ^5 L" i2 ?) ee-fuse的應用還蠻廣的,舉個例來說,我曾作過一個2.8V ~ 12V的LDO,它的輸出電壓可以由外部電阻串接變化型的,如輸出電壓由1.8V ~ 11V由客戶自行搭配組合使用,也可以是直接由內部控制固定電壓輸出型,如固輸出1.8V,2.5V,3.3V等電壓,以應用來說,它是四種不同應用的電路,但以公司成本考量而言,它希望電路只有一套就要能夠符合上述的所有組合2 P. y' ~6 q8 |
所以,我就必需設計出可以符合上述所有變化的電路,而不同的組合變化就由e-fuse來設定,如果今天要出可以由客戶自行搭配的LDO,那就燒掉其中一個e-fuse,如果今天要出固定1.8V輸出電壓的LDO,那就燒掉另外一條e-fuse,依據不同組合燒掉不同的e-fuse
8 A5 N* Y- q% X- A' L* w( W. d& T如此一來,GDS只有一種,光罩也只有一種,電路組合與應用卻是好幾種,而這就是e-fuse的優點所在,以最少的成本卻能夠得到很多種的組合變化

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monkeybad + 3 Good answer!
sjhor + 3 不錯!回答的相當好!!讓我長知識!!

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