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快捷半導體150V低RDS(ON) MOSFET 在隔離DC-DC應用中具有更高性能% [4 A+ D# R i2 V5 _
能夠提高LED照明、太陽能和工業設計的效率和輸出功率
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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣佈推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和最佳品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET元件FDMS86200,以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低雜訊和緊湊的占位面積之MOSFET產品的需求。該元件利用快捷半導體先進的製程技術和封裝技術,以及系統專有技術,並採用5mm x 6mm MLP封裝,具有效率高、功耗較低和發熱較少的特性。
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FDMS86200採用遮罩柵極MOSFET技術設計,具有較低的開關雜訊和振鈴雜訊,有助於降低EMI。如果沒有這項專有功能,設計人員則需使用200V MOSFET元件,從而使得RDS(ON)增加一倍,降低整體效率。快捷半導體的FDMS86200 還擁有經改良的自體二極體 (body diode),能夠藉由減少損耗來提升開關效能。! t7 [% p. b' |# g: Z8 O+ @: B! h
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快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列,讓設計人員能夠選擇多種技術,找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體擁有獨特的功能、製程和創新封裝及整體系統專有技術之組合,而其MOSFET產品系列具有廣泛的崩潰電壓範圍(20V-1000V),以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進封裝技術,能夠推動電子製造商實現更出色的創新設計。. U0 d( O0 Y7 R$ L C( }
& g% B, l. M, ^& p1 v; }5 ]4 T+ R價格 : 訂購1000件,單價為1.92美元" i7 v+ k% @2 f+ {8 g# [
供貨:現已提供樣品- i" d: F, I+ O$ ^$ Y6 }5 D
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