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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。' v* a8 c' s0 o& L
& m9 Y- W& l) X/ y$ Y東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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0 }6 G* o$ [( ?, ?四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。1 S$ Y/ u% r# ~# z% [) z! L$ m
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Fab 5概況4 u# T! S) e( S/ ^5 Z, T) G
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
: W a. w# Y: {+ R; J; R- @" \" h地上建築面積: 約38,000m2 ! @9 i4 W) x, v1 f4 S s
總建築面積: 約187,000m2
6 w: v7 S( \4 O. V: E開工時間: 一期:2010年7月
9 Y$ q1 O! U3 m2 X0 S. U2 B. c二期:2013年8月
, |- l# Z0 \$ b! S% i$ v2 A+ K. H! }完工時間: 一期:2011年5月 2 J* E. T% ?/ @ i# ]) ^
二期:2014年夏(目標) v( P5 Z ]+ @5 ~, `
投產時間: 一期:2011年7月 % q3 {% a; Z @& i( t! e
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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$ ]: I$ W4 R" ?2 D; d: D! d0 P# j四日市業務部概況
8 R$ F% j; _$ h4 `" z5 Z位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture 4 g |7 F7 Y' |
成立時間: 1992年1月
! C( M* c3 X+ [" B總經理: Tomoharu Watanabe % p1 {& v- y j: B2 a
員工數量: 約5,200名
; O2 w) w& t3 p) X2 a9 ~1 j' }& Y(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) % ~! q& }) ^% N, l( n- ?; z
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
/ N" c( b) Z: e/ j" c總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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