新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

heavy91

記憶體新世代已經來臨了嗎？

底下有 工研院 產經中心 產業分析師彭茂榮的分析圖表... 其中各種的中文全名、技術原理，大家都了了嗎？
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7 r. ~' _0 Q/ ?( `

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joe1102

感謝大大無私分享，學習了

twvan

我覺得每一種都有的的區別
. N7 C8 ^5 m" {5 d% x$ j, m* u  `當然FRAM的市場漸漸成長
, G6 L6 c% t+ g# J5 q4 Y) [應該有的的特常跟優勢吧

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The Linley Group首席網路分析師 Bob Wheeler表示：「隨著下一代的網路設備採用的標準趨於高可塑性、高可擴充性的資訊流服務，Marvell 以可靠供應商進入網通搜尋技術市場，也唯有像Questflo這般的創新方案，才能滿足這些新設備設計對可擴充性的需求。」
+ ]+ {, n, ?( g3 h) \5 H
在目前SDN環境中，Questflo 98TX1100網通搜尋處理器系列，能夠不受頻寬、封包大小及搜尋深度影響確保封包傳輸處理速度與延遲時間，來實現資訊的彈性管理、傳輸並確保高達800萬次數的服務及虛擬流量。98TX1100搭載標準高速Interlaken (ILK-LA) 介面的網路封包處理器，如 ：Marvell Xelerated® 可編程網路處理器系列、Prestera® 乙太網路封包處理器系列，及任何自訂 ASIC或FPGA為基礎的解決方案，用以擴充單一裝置所支援以及運行的服務處理。

$ m; G0 h: v: R0 p: Q6 oMarvell Questflo 98TX1100 系列 主要功能如下：

l   高達800萬個流量入口
5 M* r8 K0 x' yl   彈性表格組態與多種寬度搜索
l   進階自動資料製表與資源管理
l   每秒24億筆資料搜尋
- `0 f. B  J% \  l. m1 Q4 kl   對介於80b至64b的搜索鍵保證每時脈週期一個搜尋結果的搜尋量
/ r% V; P6 I/ m/ G! Ol   對介於80b至64b的搜索鍵保證固定低延遲時間
: E$ w% W' `; E2 K: h, Il   多埠配置以便裝置與資源共享
, ?$ H: ]! J8 N9 Z( `l   具電信級可靠性的ECC記憶體保護
% P7 a) k5 ^) X% p( k. g: g7 Yl   25W 的基礎功耗
) U9 g- i2 j' e/ F/ h$ h/ b+ d
/ E- r2 }& x" l" ?8 nMarvell Questflo 98TX110系列現在與評估平台及SDK一起送樣。 這套完整的平台開發套件包含Marvell Xelerated 400Gbps 線速網路處理器 (NPU) 及 ARMADA® XP 1.6GHz 四核心ARM 架構內嵌控制處理器，使客戶在研發高處理能力、高擴充性與可塑性封包處理解決方案時，能以最快的速度上市。

Marvell 將於 10 月 22日至 23 日於美國加州聖塔克拉拉郡Hyatt Regency飯店舉辦的Linley Tech Processer Conference期間，展示 Questflo 與 完整封包處理解決方案。

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Marvell 推出突破性SRAM基礎的網通搜尋引擎 為業界處理能力最高、效能最快且功耗最低的解決方案
全新Marvell Questflo系列僅以1/3的功耗實現四倍的處理能力和最高速聯網速度，支援下一代行動網路與物聯網以流量為基礎的網路服務  

【2014年10月20日，加州聖塔克拉拉郡】 —  全球整合晶片解決方案領導者 Marvell 邁威爾(Nasdaq：MRVL)  今日宣布推出突破性的新產品系列Questflo™ （98TX1100），是一利用SRAM（靜態隨機存取記憶體）為基礎的網通搜尋引擎，以現行市場上技術的小部分功耗，卻達到業界最高處理能力、最快效能。全新Marvell Questflo 產品系列，能以1/3的功耗提供達四倍的處理能力，以因應下一代的網通設備需求，同時推升行動裝置、物聯網 （IoT）與車聯網的爆炸性成長，現今市場以TCAM為基礎的傳統解決方案，從系統成本、功率、產品規格到可靠性的觀點來看，皆已無法滿足未來持續擴充的頻寬與服務密度。Marvell的全新 Questflo產品系列象徵著技術的創新革命，將協助電信業者與服務供應商導入、管理並迅速擴充新的營收服務，同時提供強化的安全性與連網品質。988TX1100的應用包含：電信業級與企業級服務/邊緣路由器、資訊安全設備、網路偵測器、資料中心交換器、伺服器、負載平衡器與新一代SDN（軟體定義網路）及NFV（網路功能虛擬化）平台。
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, ^  A( t* p4 q% f! s  KMarvell 總裁暨共同創辦人戴偉立表示：「網通搜尋引擎是現有的雲端運算與雲端型服務大量基礎網路的關鍵因素。Marvell 以開創性的 Questflo 技術，僅使用資訊安全設備、軟體定義網路及其他重要網路應用的小部分功耗，卻能提供四倍的網通搜尋能力，對此我感到非常榮幸。這項技術將可使全球服務供應商與網路營運商，在行動網路及物聯網市場中大幅擴張他們的競爭能力。我以Marvell認真付出、持續創新的全球工程團隊為傲，他們不斷地提高技術門檻，並為做出業界無可比擬的貢獻。Marvell的使命與願景即是透過技術研發與創新，讓世界變得更美好。」

sophiew

本次活動可以免費申請的富士通半導體FRAM系列產品包括：
5 C" r+ z  X1 p7 ~$ X+ T% W
8 e3 y  W/ ]1 D. {4 g6 D" a' BI2C接口記憶體產品群：
; I7 G9 V3 W. O' D. Y! L3 pMB85RC04V
3 u- E6 G" k" \) S! r1 cMB85RC16V
8 f$ I8 Q' V: v) }8 Q) ^+ u# RMB85RC64A
% p$ f7 t+ r# P8 J. i! E
0 {" E5 S! S- P) L) JSPI接口記憶體產品群：
4 w" {4 y  ?4 {MB85RS16
MB85RS64

3 Z3 E& ]% a: f; S; O8 N關於康淇科技股份有限公司 (Comtek Corporation)
+ U; t( t! z% ?  A% U康淇科技股份有限公司能提供最先進、高效能之電子零組件產品及高規格的專業服務，專注於提供客製化高效及最精省的解決方案。同時，康淇科技致力於FRAM的推廣，擁有專精之業務/技術團隊，能協助客戶應用FRAM的特性，提升產品性能與競爭優勢。其客戶群涵蓋電源管理、博弈機、網路及通訊、LED照明、儀控及監測設備、太陽能/綠能產業等。康淇與所有原廠配合，依據產業/客戶的中長期發展方向，優先研發以滿足未來所需並與客戶做最即時的溝通，確保研發方向能與客戶同步。

sophiew

富士通半導體FRAM 鐵電記憶體　免費樣品申請活動  
與康淇科技聯手合作　讓更多客戶以及工程師體驗FRAM優異性能
) l. o: u# A( \* K
: g% N0 H( K* ^& D, Z: d2014年6月30日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布攜手康淇科技股份有限公司推出富士通鐵電記憶體 (FRAM)免費樣品申請活動，本次活動主旨是讓更多的使用者了解並體驗富士通半導體高效能的FRAM系列產品，及其在智慧生活的相關應用。即日起至8月31日可透過活動網站http://www.com-tek.com.tw/html/f ... tml?Category=372365，免費申請FRAM樣品。
8 m" _4 t* E! w: J& U6 a
. m! A6 k% W, R6 D5 P隨著物聯網產業的發展與商機崛起，以感測網路為基礎的智慧與自動化相關應用，已成為各領頭企業搶攻的大餅。富士通半導體FRAM系列產品，近年，更是在工業自動化設備、智慧電錶、監控、智慧家庭醫療與RFID等領域的解決方案及應用中受到業界矚目。FRAM是一種使用鐵電材料來保存資料的非揮發性記憶體。這種記憶體融合了RAM和ROM的雙重優點，能夠隨寫隨讀，在停止供應電力的狀況下，其內部儲存的資料也能夠永久保存。

富士通半導體量產FRAM技術已有15年的豐富經驗，全球累積出貨數量已達24億顆。其所製造的FRAM產品以非揮發性、高速燒寫、高讀寫耐久性10萬億次、隨機存儲以及低功耗等諸多優點，在記憶體產品中脫穎而出。截至目前，富士通半導體FRAM產品已有17個產品量產，容量範圍從4Kb到4Mb，同時，也著手研發8Mb產品，以逐步提升內建容量。富士通半導體的FRAM可分為兩個產品系列，序列介面 (I2C，SPI）和並列介面產品。採用串列I/F的FRAM可以用來替代E2PROM或串列快閃記憶體，而採用並列I/F的產品可以用來替代低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)。

) @) a, o0 {: m) @4 @& v  D富士通半導體期望藉由此次與康淇科技合作舉辦之免費樣品申請活動，了解使用者需求並得到有價值的使用者回饋訊息，進而改善產品，使富士通FRAM系列產品能更加符合市場定位。另外，康淇科技也能提供最即時且專業的服務，針對使用者不同的需求，提供最精準且有效的解決方案，同時將FRAM產品推廣至更廣的用戶族群。

atitizz

借助 FRAM 的獨特功能挑戰超低功耗
除了具有顯著的節電優勢外，TI 的 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列還具有以下的特性，超出了開發人員的預期：
•        無限的可讀寫次數。無法取代的讀取/寫入速度意味著 FRAM MCU 比傳統非揮發性記憶體解決方案的擦寫迴圈次數多100億次以上 — 其擦寫週期超過了產品生命週期本身；
( q8 s7 r! k- G6 g/ V•        彈性。FRAM 具有獨特能力，使開發人員擺脫代碼和資料記憶體之間的傳統界限束縛。用戶無需再受限於業界標準快閃記憶體與 RAM 的比率或為增加的 RAM需求支付額外費用；
•        易用性。FRAM 可簡化代碼開發。由於 FRAM 無需預先擦除段，並可基於位元等級被存取，所以有可能達到恆定的即時資料記錄。無線韌體更新複雜程度降低，速度加快且能耗減少。
4 R4 E) h" G! x; \; \) m7 V
6 X3 I0 j5 m6 S9 H7 G/ G) y$ s5 h) WTI 超低功耗 FRAM MCU 產品組合的特性與優勢
•        FRAM 是唯一的非揮發性嵌入式記憶體，可在電流低於 800μA 的情況下以 8Mbps的速率被寫入 — 比快閃記憶體快100倍以上；
•        借助引腳對引腳相容性和可擴展的產品組合，由 TI 超低功耗 MSP430™ MCU FRAM 產品平台內 32KB 至 128KB 的裝置組成，使開發工作變得更輕鬆；
•        借助 MSP430 FRAM 和快閃記憶體組合之間的代碼和週邊相容性，利用MSP430Ware™來簡化遷移；
% O& J: H" b" t; Z1 c& _•        可取代 EEPROM，旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且記憶體可靠性更高的安全產品；
0 D; }2 y+ H& A•        256 位元的 AES 加速器使 TI 的 FRAM MCU 能確保資料傳輸；
, r" e! B- S2 L) w7 ~•        適合開發人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊，以簡化從現有矽晶片到 MSP430FR59x/69x MCU 的遷移。
3 b* S) y" t1 Q, D
0 z3 E8 C2 I* A2 S' W2 T" c入門
. t& i# r  \& N1 \( o5 \1 t開發人員可透過涵蓋齊全的培訓計畫，包含的線上培訓和現場培訓環節針對超低功耗平台的各個方面開始使用TI的FRAM MCU產品組合。一系列深入的教學影片將幫開發人員快速開始設計，並在設計週期的任何階段利用 EnergyTrace++ 技術和開發工具對 TI 的 FRAM MCU 進行故障排除。
0 G/ O8 |. B- ?8 w3 z) c. C. s! F
供貨情況與價格
% u5 N. v  H7 G: C! p- `! qMSP430FR59x MCU可立即用於批量生產，建議售價為每一千單位 3.35 美元。MSP430FR69x MCU現已開始提供樣品，並將在2014年第3季度用於正式批量生產。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad與Sharp® 96 Memory LCD BoosterPack捆綁銷售，建議售價為 29.99 美元。此外，MSP-FET也已開始供貨，建議售價為 115 美元。

atitizz

TI 用全新的 MSP430™ FRAM 微控制器開創了超低功耗的新時代
1 a, L  n8 D7 a% \$ H5 u採用 EnergyTrace ++™ 技術的 MSP430 MCU 設計 以實現全球最低功耗的微控制器系統
0 ^) B$ d: t1 A' P/ d. y
(台北訊，2014 年 6 月 25 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出其綜合的超低功耗 FRAM 微控制器 (MCU) 平台。該平台包含所有必要的硬體和軟體工具，支援開發人員以降低能源預算，最大限度地縮減產品尺寸並努力實現無電池的世界。具有 EnergyTrace++™ 即時功耗分析器和除錯器的 TI 全新 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列在 32KB 至 128KB 的範圍嵌入鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)。這些MSP430™ MCU非常適用於智慧計量儀表、穿戴式電子產品、工業和遠端感測器、能源收集裝置、家庭自動化設備、資料獲取系統、物聯網 (IoT) 以及更多需要超低功耗、彈性記憶體選擇和智慧類比整合的應用。
: k  u( Z3 l2 h, Y0 W
6 t4 h& E5 V- o" J% h  \) f採用嵌入式 FRAM 的 TI 創新型超低漏電 (ULL) 專有技術可在 -40 至 85 攝氏的溫度範圍內提供全球最低的系統功耗，其包含運行功耗為 100μA/MHz，精確即時時鐘 (RTC) 待機功耗為 450Na 和業界領先的功率效能。全新的 FRAM MCU 包括各種智慧類比週邊，如在轉換速率為 200 ksps 時耗電流低至 140μA 的差分輸入類比數位轉換器 (ADC) 以及可在系統處於待機狀態時運行的增強型流量計量掃描介面，進而使功耗降低 10 倍。此外，整合式 8-mux LCD 顯示器和 256 位元進階加密標準 (AES) 加速器也可降低功耗，縮減材料清單成本並節省電路板空間。
       
& t& c! c3 l2 q( F8 F9 I- J( o$ S/ {! K& h採用 EnergyTrace++ 技術即時除錯能量
2 g- u; t1 Q9 nTI 採用新型 EnergyTrace++ 技術的系統是全球第一個能讓開發人員為每個週邊即時分析功耗的除錯系統，其電流解析度低至 5nA。這使工程師能控制自己的功耗預算並優化軟體，竭盡所能創造出能耗最低的產品。這項新技術現在可用於 MSP430FR59x 和 MSP430FR69x MCU 產品系列，並附上全新的低成本 MSP430FR5969 LaunchPad 開發套件。

tk02561

主要特性

  v; S5 w* B, m5 H1.符合JEDEC UFS 2.0版本的介面可處理基本功能，包括寫入區塊管理、誤差校正和驅動軟體。該介面簡化了系統開發，使製造商最大限度地減少開發成本，加快向市場推出新產品和升級產品的速度。

2.該產品具有超高的讀取/寫入性能，且透過支援UFS 2.0版本的選用功能——雙通道MIPI M-PHY HS-G3 I/F，其最高傳輸速率高達11.6Gbps。
) ^2 X. |9 F9 g9 z. ?1 J+ b3 U% O
' F# J) @/ {; W9 t2 L3.兩款新產品均採用小型FBGA封裝，且具有符合JEDEC UFS 2.0版本的信號佈置。
+ t! v2 z1 _% E$ Y3 t, i
- W2 [" x: e$ Q, d. k主要規格
1 {7 b% u* X" i% p
介面 JEDEC UFS 2.0版本標準

# F! b$ q. g6 Z, ?! g電源電壓         2.7V至3.6V（儲存磁心）
2 L6 Z( J5 j- i; v
, z- T! Z: Q; w+ p9 f1.70V 至1.95V（記憶體介面等）
1.10V to 1.30V（控制器核心，UFS I/F信號)
1 G  S, u! F) [- d& X* `
  O9 C+ g6 @! n通道數量
下行2通道/上行2通道

( z1 N! j( S, p$ F8 L+ w$ ZI/F速度
5.8Gbps/通道
) i" [  I& M$ D/ Y( t9 T5 W- T  ?
- |: m# `- ^/ ~  `: B; H溫度範圍
-25℃至+85℃
- i# p  q9 }8 Y' I
封裝
153球細間距球柵陣列(FBGA)
11.5x13x1.0mm (32GB) / 11.5x13x1.2mm (64GB)

注：
6 \/ V; G9 o# u; K) l  _) {3 i[1]通用快閃記憶體是根據JEDEC UFS 標準規範建立的一種嵌入式記憶體產品類別。
[2]嵌入式NAND快閃記憶體模組：2014年4月25日，東芝調查。
, X, P. q+ o8 b. y6 v$ I[3] MIPI和M-PHY是MIPI Alliance的商標、服務商標、註冊商標和/或註冊服務商標。

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東芝啟動業界首批符合UFS 2.0版本的嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨

(20140428 17:57:00)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布，即日起啟動符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨，東芝此舉為業界首例[2]。這兩種模組還整合了UFS 2.0版本的選用功能——5.8Gbps高速MIPI M-PHY[3] HS-G3 I/F，並實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
7 s, ?% E1 U/ f6 T
3 v$ f4 }% W8 Z8 L8 n傳送速率的加快可縮短推出各類應用，拍攝數位靜態影像，以及在智慧型手機或平板電腦等行動產品上播放及下載大型資料電影和音樂檔所需的時間。
; g, T# ^! I& R, n8 U9 h' `
隨著主機晶片資料處理速度的提高，以及智慧型手機和平板電腦等各種數位消費產品無線連接中寬頻的增大，對於支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求也將繼續成長。
2 G" H4 a) C0 P* S9 p# w2 P4 {
* f" H# r5 A# R* ]實務證明，東芝是這一重要領域的創新者。透過成為業界首家提供高性能UFS模組樣品的公司，東芝正進一步鞏固其領導地位。
/ f( I- @. w: Q9 Q" K( a& {
; c" Q, y( `: d東芝將安排量產，並將把其他密度的產品加入該陣容中以回應市場需求。
# s  `7 r6 w: ^; ?# {! g( o
$ L+ b) X" @7 M3 p+ `" P新產品概覽
產品型號   密度         封裝
THGLF2G8C4KBADR 32GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.0mm
; c; y  ]8 D) K% ^8 q% {( T2 z+ T) pTHGLF2G9C8KBADG  64GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.2mm

ranica

東芝啟動全球首批15奈米NAND快閃記憶體量產
& w, F3 l& N* P" S
(20140423 18:08:32)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司已開發出全球首個15奈米(nm)*1製程技術，該技術將應用於容量128Gb (16GB)、每單元容量2位元(2-bit-per-cell)的NAND快閃記憶體中。採用新技術的量產將於四月底在位於四日市業務部(Yokkaichi Operations)生產據點的Fab 5啟動，從而取代東芝之前的一流製程——第二代19奈米製程技術。Fab 5是東芝的NAND快閃記憶體製造廠（晶圓廠）。Fab 5的第二期段施工目前正有條不紊地進行中，而新製程技術也將在此部署。

* S0 s/ ?) t! H, V: B東芝已借助15奈米製程及改良的週邊電路技術實現全球最小等級的晶片尺寸。這款新型晶片具有與採用第二代19奈米製程技術形成的晶片相同的寫入速度，但其透過採用高速介面，使得資料傳輸速率增加至每秒533MB，這一速率是採用第二代製程技術的晶片的1.3倍。
- X" t# x7 L: ~2 b$ E
) q" v- {, C9 e& C/ X( }2 `8 _東芝目前使用搭載15奈米製程技術、每單元容量3位元的晶片，並計畫於本會計年度的第一季至2014年6月期間啟動量產。該公司將同時為嵌入式NAND快閃記憶體開發控制器，並針對智慧型手機和平板電腦推出每單元容量3位元產品，之後還將透過開發與固態硬碟(SSD)相容的控制器，以將應用擴展到筆記型電腦。

東芝將繼續緊密遵循其製程技術開發藍圖，並透過將一流的製程投入生產來增強產品競爭力和性能。展望未來，東芝將進一步推動產品創新和開發，以及確保其能夠回應各種不同的客戶產品需求，包括智慧型手機、平板電腦、輕薄筆記型電腦，以及要求高穩定性的企業產品（如針對資料中心提供的SSD），以鞏固其市場領導地位。
: H# h1 Z1 x! V
) x( d# |' X: o6 T0 h*1 2014年4月23日。東芝調查。
*2 1奈米等於1 x 10-9或1 / 1,000,000,000公尺。

ritaliu0604

此外，EEPROM和微控制器等已採用其他I2C介面產品的應用，現在都可以新款的FRAM產品取而代之，可透過高頻率資料登錄實現高精度資料擷取(如圖一)，並能夠降低資料寫入作業所需的功耗。  
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MB85RC1MT產品陣容可搭載I2C 介面(支援4 Kb至1 Mb記憶體容量)或SPI介面(16 Kb至2 Mb記憶體容量)，大幅增加了富士通半導體的FRAM產品陣容 (如圖三)。這些FRAM系列產品採用業界標準的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列快閃記憶體，並適用於工廠自動化、測試儀器及工業設備等應用，更無須大幅修改電路版的設計。

富士通半導體將持續開發FRAM產品以滿足客戶對低功耗產品之需求，例如需求日益增加的能量採集應用，其中低工作電壓是關鍵要素。

; q1 o1 b, n; {樣品供貨時程

2 o8 C1 u  p" Z* r富士通半導體從本月起已開始為客戶提供MB85RC1MT樣本，請與業務代表洽詢詳細樣品價格。

ritaliu0604

全新FRAM產品搭載I2C介面及1Mb記憶體 適用於工廠自動化控管、測驗儀器及工業設備

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發全新FRAM產品 MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體 (128K字元X 8位元)，是所有富士通半導體I2C序列介面產品中最高記憶體容量的產品，即日起可為客戶提供樣品。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除 (write/erase) 週期，適用於需要經常重覆寫入資料之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之即時資料登錄應用。現在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI序列介面產品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發性記憶體產品。

' m- U) k; s6 J& @5 ZFRAM是一種兼具非揮發性與隨機存取功能的記憶體，能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入資料。值得注意的是，在眾多非揮發性記憶體技術中，FRAM能保證一兆次以上的寫入/刪除週期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來，已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領域。
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MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度範圍以1.8至3.3伏特工作電壓運作，可支援「高速」操作頻率模式，並可在傳統EEPROM相同的3.4MHz及1MHz環境進行讀寫資料作業。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除週期，大幅超越傳統EEPROM之寫入/刪除週期次數，並可支援I2C介面及其他介面產品之即時資料登錄等頻繁的重覆寫入資料作業。

amatom

東芝已經開發了一種洩漏率低於傳統SRAM千分之一的極低洩漏SRAM；當採用65奈米製程時每位元洩露電流為27fA。這一水準低於採用65奈米以上技術製造的SRAM的已發布資料。這種新的SRAM充電一次便可以在備用記憶體（容量約為100Kbyte）中保留資料超過10年時間。
  N& L" x. Q6 k* d
採用最近的製程技術製造的MOSFET擁有更高的閘極漏電、閘極偏壓感應汲極漏電流（GIDL）和溝道漏電。東芝已經開發了一種低洩漏電晶體（擁有厚閘氧化層、長溝道和最佳來源漏擴散分布）來減少這些洩漏因素，並將其部署於SRAM儲存單元。該公司已經開發了幾種創新的減少洩漏電路。其中一種是將反向偏壓應用至儲存單元的NMOS的來源偏壓電路，另一種電路在資料保存期間切斷了週邊電路的供給電壓。

低洩漏電晶體比傳統電晶體大，從而使整體單元區有所增大。在1.2V供給電壓條件下，東芝使單元尺寸較採用該設備的原始設計規則設計的區域降低了20%。通常，大電晶體電路擁有更高的有效功耗。透過採用「四分之一陣列啟動計畫」和「電荷分享分層位元線」降功耗電路，東芝已經抑制了這種有效功耗增加。

憑藉極低的洩漏電流，讀取時間為7ns的SRAM擁有足夠快的速度，能夠用作低功耗微控制器的工作RAM和深度休眠模式時的備用RAM。由於系統無需重新載入資料，因此從深度睡眠喚醒的速度有所提高。
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東芝計畫在2014年發布的產品中使用該RAM，並預計在未來的電池驅動產品中廣泛使用它。

amatom

東芝開發出可以使低功耗微控制器從深度休眠模式快速喚醒的極低洩漏SRAM

; G( [$ [# L/ V+ c(20140213 13:37:25)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經開發出適用於低功耗微控制器備用RAM的極低洩漏65奈米靜態隨機存取記憶體（SRAM），它可以實現從深度休眠模式快速喚醒。

% \6 Y0 f7 q2 o7 W" Z東芝於2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協會（IEEE）國際固態電路會議上公布了這一進展，本次大會在加州舊金山舉行。

9 w* O  |& ?' J8 I- x3 r; C可穿戴式設備、醫療照護工具和智慧電表等低功耗系統對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統所使用微控制器的功耗存在許多挑戰，隨著製程的升級換代，洩漏電流的增加和有功功耗造成了問題。減少RAM（待機期間可以保存資料）中的洩漏電流尤為重要。
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通常的微控制器可以透過深度休眠模式（待機電流小於1μA）降低功耗。但是，這使得通常的SRAM無法保存資料，因為SRAM需要遠高於1μA的待機電流。因此，當系統從深度休眠模式中喚醒時，重新載入資料需要花費較長時間。使用鐵電隨機記存取憶體（FRAM）作為備用RAM可以消除這一重新載入問題，但是FRAM的速度慢很多，比SRAM消耗更多有效功率，並且需要更多製程成本。

mister_liu

可取代SRAM的非揮發性記憶體，為工業機械及辦公自動化 提供不需電池的最佳解決方案

2013年11月14日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布推出全新具有SRAM相容型並列介面的4 Mbit FRAM晶片MB85R4M2T。MB85R4M2T採用44-pinTSOP封裝並且與標準低功耗SRAM相容，因此能夠在工業機械、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備等應用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。此產品明年1月起開始為客戶提供樣品。

+ U& f) @2 J7 Y( A$ l: DFRAM具備非揮發性資料儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護資料；隨機存取功能則能高速寫入資料。由於FRAM在寫入資料時若面臨電源臨時中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲存資料，因此即使在電源中斷時還是能夠立即儲存參數資訊並即時記錄設備上的資料數據。
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- c7 \: s4 c' G7 g5 r; d' v另外，MB85R4M2T無須任何電池即可持續地儲存資料，因此有助於發展更小型、更省電的硬體設備，且能降低總成本。其優勢包含：

1.        減少電路板面積
MB85R4M2T不需要透過電池儲存資料，因此能減少50%以上產品中所使用PCB基板記 憶體與相關零件的電路板面積。
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1 j7 [% q/ ]/ L. W9 F. O2.        降低功耗
7 `% ?, r6 A6 |. \4 J! _SRAM在主電源關閉的情況下將資料保存在記憶體時，需要消耗約15 µW/秒的電流以保存資料。由於FRAM為非揮發性的記憶體，在電力關閉情況下不會耗費任何電力。

3.        降低總成本
移除電池不僅降低零件成本，也免除了所有電池更換或維修相關的週期性成本，能大幅減低開發及營運的總成本。

富士通半導體將持續為客戶提供記憶體產品及解決方案並協助客戶提高產品效能，也期望能有效降低終端產品的總成本。

globe0968

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND快閃記憶體系列中使用這些NAND晶片。所有設備都將整合一個控制器來管理NAND應用的基本控制功能。
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& V5 O) p8 x+ C# e% y在16GB和32GB產品之後，東芝將依序推出4GB、8GB、64GB和128GB產品。

" Y( N/ _; L3 H7 k1 [8 u3 s主要功能
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1.        符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準的介面可以處理基本功能，包括寫入區塊管理、校正和驅動軟體。它可簡化系統開發，讓製造商能夠有效降低開發成本，並加快新產品和升級產品的上市速度。
8 |) E; k! m+ |1 y2.        嵌入系統後，128GB模組能夠以128Kbps位元速率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的Full HD視訊和38.4小時的標準畫質視訊[2]。
3.        新產品採用使用19奈米第二代尖端製程技術製造的NAND快閃記憶體晶片。
0 ~* M0 ~3 |4 w' Y" T( h6 W4 h; |7 W4.        新產品採用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，並且擁有符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準的信號佈局。
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  J4 }/ P& g6 S4 Q( |* v& ?2 k[1] eMMCTM是採用JEDEC eMMCTM標準規格製造的嵌入式記憶體產品的商標和產品類別。

[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均位元速率計算。

globe0968

東芝推出採用19奈米第二代製程技術的新型嵌入式NAND快閃記憶體模組
--新產品符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準--

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND快閃記憶體模組，該模組整合了採用19奈米第二代製程技術製造的NAND晶片。該模組符合最新的eMMCTM [1]標準，可應用於智慧型手機、平板電腦和數位攝影機等廣泛的數位消費品。量產將從11月底開始。
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能夠支援高解析度視訊和提供更大儲存空間的高密度NAND快閃記憶體晶片的需求不斷成長。這在包含控制器功能的嵌入式記憶體領域尤為明顯，這種嵌入式記憶體可以使開發要求降至最低，並使得整合進系統設計更加便利。東芝正透過增強其高密度記憶體產品系列來滿足這項需求。
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該公司的新型32 GB嵌入式設備在11.5 x 13 x 1.0mm的小型封裝中整合了4個64Gbit（相當於8GB）NAND晶片（採用東芝的19奈米第二代尖端製程技術製造）和一個專用控制器。它符合JEDEC於9月發布的JEDEC eMMCTM 5.0版標準，並且透過採用新的HS400高速介面標準實現了高讀寫效能。

mister_liu

(註1)軟體錯誤：
指一種現象，當外部α或中子輻射撞擊矽基板時會產生電荷，導致儲存於記憶體中的資料遺失。相對於可再現的硬體錯誤，例如半導體元件的硬體故障，軟體錯誤無法再現，而且只需由系統重新寫入資料即可修正錯誤。一般而言，軟體錯誤的發生率會隨著製程愈趨精密而提高。
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' [! d  P) P8 q2 Y(註2)閂鎖：
指一種現象，由CMOS電晶體的井區、矽基板、P型擴散層及N型擴散層形成的NPN或PNP結構(寄生雙極電晶體)因來自電源供應器或輸入腳位的過電壓而進入導通狀態，允許大電流流入電源供應器與接地之間。

(註 3) 資料來源：瑞薩電子。

0 C4 q7 N! E& y, p8 f" _(註4)記憶體節點：
: u# s% r5 P! u各記憶體單元中將資訊位元儲存為「高」或「低」電位的正反器電路節點。
( }' m$ M& E# a! Z+ U, p+ T
! @+ ^7 o1 e# e& e' Y(註5)堆疊式電容器：
由多晶矽或金屬產生兩個電極的電容器。這些電容器產生於矽基板上的MOS電晶體上層，有效降低記憶體單元的表面積。
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, d  Y, {1 F* Z& d3 T" x(註6)薄膜電晶體(TFT)：
& I* G2 A+ d2 p; }* D, h由薄膜多晶矽產生的電晶體。這些元件做為SRAM負載電晶體使用，產生於矽基板上的MOS電晶體最上層，有效降低記憶體單元的表面積。
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% Y5 j/ |; h9 b1 O& O(註7)全CMOS類型：
$ ^5 U/ R+ M2 I& u3 r& B  u由產生於同一矽基板表面總計六個P通道MOS電晶體與N通道MOS電晶體所構成的SRAM記憶體單元結構，它具有較大的表面積，因此有發生閂鎖的風險。

: R" Z. A2 G4 P供貨時程
. ?) j9 V  {% W瑞薩電子新款SRAM將自2013年11月開始供應樣品，並預定自2013年12月開始量產。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)