|
回復 1# 的帖子
在這邊說說我的看法$ g1 b# R, e2 G% f" x
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
$ u5 z* b, D# \! W. b找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
( {7 E }+ h7 V) e但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上2 I- d3 f, O8 a! d
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
3 _. H/ D4 X; O9 R- a9 \' W- X) R! n: o
一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
2 T8 `2 Z" E5 t( Q+ q2 G N( _; E但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品# x8 G# A1 a7 B! x! ]4 c* L
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
9 E# @ W. C4 [7 ^. j: L) J去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 ! i: ?! G. c7 ^( v+ R0 M6 t
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上+ e# a; N: q+ J3 h
就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期1 F. Z6 v2 j3 w: ~1 N
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
' c: C2 ~$ B ^* D5 n6 t讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability7 T+ V u% y, |; L' X
, l, H7 S4 K0 e" s
最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
, h* v2 ?& Z! K0 @, T: \不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
% ~9 p& P6 N1 ~; X! n+ v7 N但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速& |0 d5 B g$ u" }
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事) z! \1 C+ k+ v/ C& i2 Z* W
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
5 i1 t2 n; J- Z- \9 y何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己' T. t; q, m6 u! R0 G8 D
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
/ n6 K" k9 i; f2 h: k6 Z
7 g N) k# Z: s" L( |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
|