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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法$ g1 b# R, e2 G% f" x
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
$ u5 z* b, D# \! W. b找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
( {7 E  }+ h7 V) e但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上2 I- d3 f, O8 a! d
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
3 _. H/ D4 X; O9 R- a9 \' W- X) R! n: o
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況
2 T8 `2 Z" E5 t( Q+ q2 G  N( _; E但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品# x8 G# A1 a7 B! x! ]4 c* L
再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
9 E# @  W. C4 [7 ^. j: L) J去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 ! i: ?! G. c7 ^( v+ R0 M6 t
很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上+ e# a; N: q+ J3 h
就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期1 F. Z6 v2 j3 w: ~1 N
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
' c: C2 ~$ B  ^* D5 n6 t讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability7 T+ V  u% y, |; L' X
, l, H7 S4 K0 e" s
最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
, h* v2 ?& Z! K0 @, T: \不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
% ~9 p& P6 N1 ~; X! n+ v7 N但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速& |0 d5 B  g$ u" }
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事) z! \1 C+ k+ v/ C& i2 Z* W
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
5 i1 t2 n; J- Z- \9 y何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己' T. t; q, m6 u! R0 G8 D
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
/ n6 K" k9 i; f2 h: k6 Z
7 g  N) k# Z: s" L( |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選
5 r9 ]2 f5 S& n, s8 [! ^/ U) A從後段到前段難  從前段到後段易# `8 G% j2 @1 D" s( x% Z6 t
如果先做測試或設備工程師) o, r/ [/ J8 @# b5 t9 @/ r0 @
很可能就會像以前我大學老師說的一樣
, S2 S( v' k  u- l- B" S一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
9 c; F* c) j, V8 s7 A, j1 |PCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)
8 O% W( `6 }8 i9 P) ~The reason is the failure rate curve of  "bath tub" : p& e; J) ~- M6 h( c
So we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by & I% O* E: I( d8 h6 Z+ m8 Y/ x
semiconductor degradation./ ~+ [, R4 f$ h8 Q0 s& R
I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.) ]) d1 J! A' O5 L7 P! i( K
The operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.
; m4 m# D5 f! X2 \3 v+ t4 HOh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.
# v$ q1 \. u: T; @I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D ./ v5 G/ i$ j( q) R% e9 @

0 Q, V" X& H. a9 II believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.6 W5 v! U' l1 u8 ?% u
# e5 h+ @: X+ H& B9 x
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
0 q3 X+ y4 c$ W# X* d
) b. D" i5 O% G+ G, ~/ Y8 aDo you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.+ t8 c' l& O8 M' Y% K; P7 U
When we test some products, we should realize their specifications.
1 P1 Z" {4 t# z* H2 }If we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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