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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
2 ~8 i) X- l& @3 l& c5 a$ u2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。7 [% A( X+ M  L/ O$ ~4 p6 Q
# N) f. M5 d. S. V: O8 C" G
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
0 ^1 S5 F! J; C3 F" C9 l, B可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
  u( d9 W; N- L+ o2 c6 Y使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
- }3 G  |) N& b3 d4 X0 N# o% Q' y, t2 f8 g
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有0 J/ p! z- F1 h6 E. D/ j
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
1 c) ?0 n' |0 H' f1.DRC 檢查軟體運算時間++
/ ?% y. D3 O1 Z' T& `3 G2.RC Extraction 不準 運算時間+++
- U4 ~! D! i2 g/ F$ `3.P&R 時間 +++
: p( ?+ K; M! s4.最重要的原因 製程良率 ----
, z0 X' _! Q' v: D) u1 k; L4 e
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
7 W/ g' @' V1 C當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多# x' j. d* O+ `
所以 90度角 還是證明他的價值存在0 C% H0 o2 }4 {/ s* J- e
& J: ]9 k3 a8 X: l
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況, y) q5 O1 \) w) r
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
9 ?& J; S# C8 g! H, v
% {/ K# \9 I5 g7 T8 N) U) U8 N+ x得到以下結論
1 K3 g6 i# \0 @0 m4 m( n  u* n$ ?& G: F! Q9 v+ Y
目前的製程技術已經到哪邊了???
9 ]9 z, b: L, C. P+ q- @; |你所需要的製程技術是否需要???
# p: A1 A) ^  w* x, p7 t, bDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用6 L! g' Y+ q6 Y4 W- M$ q* K8 C
0 P6 [# Y, Y9 V
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  + U7 s+ F4 X$ F1 ~' v( y
7 m0 s8 \7 ^( @- ?
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強0 R9 c7 Z5 e0 x/ F

4 r4 B& c# k& V+ Q: o所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)8 q, \+ Z; O2 Y; k. ^
0 a0 b0 \! L, t) s8 {! ~
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
3 L7 N) w: ?4 w7 U% ~1 e* o3 I7 U* v  W4 y
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下' b$ @! r* F4 {/ A$ M1 V# H* I, m  n
又學到好多事物
% C5 D; m! Z2 {) i! W第一次知道layout可以90度以外
  p! c$ H% X+ D9 ?, @" H3 Y  P謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
( u: s7 u* g9 M+ M+ `我同學做SAR ADC因為速度慢
, m* ]/ ~# G- Z6 ?7 G/ R1 @9 _繞線其實有接到就好了
8 X  _( _# Q  O直角繞線或是metal太細幾乎影響不大5 x) h& ?3 T) c% \# T
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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