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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
( W/ P9 W& u% _  F+ K' y/ ^0 u4 x
8 w/ @+ `5 K/ E% @! q, u( v' }& mOD2作用:
  M* ?% `& q( s+ d1. 增加阻值
2 A9 Y* E3 H4 D( i7 x; }9 v2. 防止電流過大而導致元件燒毀
, F$ z. r; r, \. p' m3 l) M2 t3. 通常用於高壓製程上
7 z( a. d' r& e) P2 b3 g3 O
' _& H1 `) T# P/ Z* Y! zSAB作用:$ a! Q' h9 l3 r4 b
1. 可以用來計算電阻值8 T- I8 N' x- @. ~/ X
2. 降低阻值9 f- G2 ]2 W; R2 @- y
3. 防止LDD的尖端放電' R  p+ N6 G' b0 g
1 }2 b5 H7 F! B3 k) x, w

- e% f# S. W' y5 Y3 N# B以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, h! J: D& ?3 s5 E  R  O  A8 E8 n- C% \
個人的認知與看法!有錯請指點一下!; a  T; @% K% z  f' l$ C

  u& \6 q2 s1 I1 e0 k- c有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
4 w; K" J3 q  a- c$ B4 w$ {
( \  q9 Y6 ^! b: ]: l. c蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! {% C' N% B. V& T5 {能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
5 e$ I; Y3 Y% Y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( T, a; d3 Y" ?# K, S
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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