Power MOS架構問題

libra3333

有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。

edengod

左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
* R/ z- }4 x, a' e! N1 ?1 rPOLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
17*10-5*5=145
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
% q- g4 g4 I% {4 S+ e7 N看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
就這樣子

sjhor

通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
2 m3 M: C# W, B# v; M2 A他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
$ p* \/ c: F' J8 {+ z4 ~& j口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!
口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!

bowbow99

Rds(on) 是什麼？？
# S3 u6 W- {" f( M' B" b3 M# [怎麼判斷Rds(on)？

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。