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隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進,也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸,而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制,並將取代目前的主流記憶體。 w5 P$ _5 Z, d" m7 C
9 l3 x, P- H7 s- T9 O8 g 迎接未來4G通訊時代,下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬,以支援4G時代手機傳輸功能的需求,而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC,將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨,並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。. ^# U# \- a l) b+ C
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有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態,此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」,提供各界更多元的思維,搶先掌握商機。 9 U6 a4 o8 y2 v& V: Z* a0 l/ }' z8 T
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主辦單位: 經濟部技術處
) h$ G4 a; [4 H4 n, }, b) q協辦單位: ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
0 T' S& O! f1 [$ s& u時 間: 2011/9/1(四) 13:30~16:20
8 ~% @2 D2 ]4 ~+ _地 點: 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊)
) N. s$ f* z2 z活動費用: 新台幣$500元整 ' v0 V, g& l' J" N7 b
報名方式: 網路報名:至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。 |
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