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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好
" u- m8 L. ^" |
  \% h! f0 o0 Y( X: u* g+ t% ~% i在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護# B, D- E, z/ j2 `* q
0 q8 F2 ?# V( v1 s- r0 I
但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port- ~+ c2 g3 S" ]+ B

8 R/ I, M4 g1 j6 @  ^造成LVS驗證顯示短路9 G. {) n9 U; e" w+ j0 a9 T4 u; |
, W4 U- g6 \$ U+ y/ R
因為用的是TSRI給的library( h0 [. {2 ]; d6 i
6 m8 G3 W1 c4 M: R& }7 n
發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的0 @4 V% n( `" |7 L

1 s" \5 u& \  q* [0 M5 A. B6 C% l而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
" h8 W$ q( n, Z0 |4 q, M3 y' F5 ]! P: L% e
是stream in 的時候就有問題了嗎?$ ?7 A- j- c/ n. ], I9 d
' R# K; o; |$ u+ g
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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