不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

8 w6 ]1 R- m; U
5 E0 Q, \7 ?" p想請問各位大大

我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
+ f3 X% P) p- X0 h1 c
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
: W$ {; d. @! ^$ i
4 F6 f/ |6 m8 H+ z2 N( C但是有約有50mV的偏移。
, g' {: D* i# `6 T* D* |% ^
, L# N: L8 B# e5 ~2 b$ C
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

  i, @. h$ H$ C* ~0 l' a4 v
1 Z% x* B  `  K1 v8 ?4 E! F8 o恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
7 [0 _. E+ u- A/ I, z都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
; _# l( t$ J8 @; T你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣