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Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits

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1#
發表於 2010-6-25 08:49:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits
* q) s$ N+ G5 ]* i5 x3 ]/ [. J% @! [* ]% J3 l% h: S% N1 {
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2#
 樓主| 發表於 2010-6-25 08:50:33 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has
9 P/ ]7 V# l* N7 ^( |# U) z' xbeen widely used as an effective on-chip ESD protection device at5 Y$ l7 ~5 `2 E3 M3 a
GHz RF and high-speed I/O pads due to the small parasitic
9 |6 P9 ~0 h9 Y: @loading effect and high ESD robustness in CMOS integrated
' K2 w/ }- j; ~/ ~  U- ucircuits (ICs). This work presents new ESD protection diodes1 _  X" f" s: a2 n' A' L2 w( K
realized in the octagon, waffle-hollow, and octagon-hollow layout
7 c" B. J+ H& ^0 Pstyles to improve the efficiency of ESD current distribution and
) h* z# v" ^3 T: u7 Eto reduce the parasitic capacitance. The new ESD protection
: s: ^1 i, z; c8 u) n! ]; e9 Cdiodes can achieve smaller parasitic capacitance under the same
+ X0 s4 A' O! g  D: BESD robustness level as compared to the waffle diode. Therefore,
5 |4 {' n9 i9 n! D( m5 Ythe signal degradation of GHz RF and high-speed transmission' [$ q7 V+ h8 h
can be reduced due to smaller parasitic capacitance from the new
# W) W, G# ~1 W2 Fproposed diodes.
3#
發表於 2010-7-28 13:45:45 | 只看該作者
看起來有幫助) i( @" s, W+ _+ z) v  h+ l$ r4 {
感謝分享7 E1 C& v5 N* A2 d7 B3 Y
先下載來看看# j  c2 N9 ~  R% z5 i
thank you ~
4#
發表於 2010-8-21 09:55:37 | 只看該作者
下載來看看; Q$ L) j/ o: W0 b3 q, t
下載來看看
6 S2 |: f+ [* Y. I$ W! |7 }0 d! b. w, V下載來看看
0 [+ s- X" ]; n' j. S; |7 w, H: Y1 k' F下載來看看; c5 [1 u4 R8 |  m0 e6 d
應該有幫助
0 L$ ]; I2 H3 z4 C  l3 o" x( A# F謝謝囉
5#
發表於 2010-8-24 14:58:33 | 只看該作者
谢谢楼主分享,非常感谢
6#
發表於 2010-9-10 15:49:01 | 只看該作者
看起來有幫助, O  l/ _/ j$ p: n$ N# e+ F7 S# A
感謝分享
7#
發表於 2010-9-11 17:00:26 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has4 b1 A6 J( Z* E6 W
been widely used as an effective on-c ..., g; q  D6 ^$ c6 S
semico_ljj 發表於 2010-6-25 08:50 AM
5 k; u' m1 O7 y4 E- o( o0 m4 M1 a
" s! t: |$ {2 M; w
% u/ C8 W8 `( |: D
不知道这种形式的IO有没有经过测试,实际的效果和预想的有多少的差别,thanks!
8#
發表於 2011-6-7 17:02:48 | 只看該作者
正為ESD耐受度傷腦筋----
9#
發表於 2012-3-8 14:19:41 | 只看該作者
thank you very much for your sharing
10#
發表於 2021-8-13 17:43:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~~知識因分享而壯大!3 p6 O+ k$ T4 A; f9 [: I

& e9 D5 u& T7 w( s+ X" b~只有站在巨人的肩膀上才不會被食人族吃了!
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