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想要增加 MOS的耐壓程度 以我目前所知, 可以朝兩個方向去思考
" v# m) n. w- I, U# z0 r8 z$ B1. 使用 厚oxide的 device
) z% ?; o) h. ?- l a2. 提高該MOS的 channel length, k' d7 K& f' }& h
* r. I) l8 U9 ~' S4 s, k1 D$ Y在你的chip當中 輸入輸出介面 MOS的 drain與source比較有機會接到高壓
6 q6 \- L) v' @, d0 P, e0 W% O所以一定要用 厚oxide的 MOS 並且提高 Length到一定的程度 ( 大概是, @5 B. j# Y3 E q$ Y4 a+ I
minimum length的2倍到3倍) 這樣才可以防止 hot-carrier effect.& X$ }- s5 w+ {# k/ G! J: x( G
% u# O7 q* t# X: o3 Y所以在設計一個CHIP前 要先想好 哪些BLOCK 有可能會接高壓
9 Q% G: G# }3 b9 O, y哪些不會, 接電壓的就可以用 minimum length的MOS 以及 薄oxide的
/ z! `) s! x; ^MOS來設計電路. |
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